安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)宣布，進(jìn)一步拓展其在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低飽和電壓(Vce(sat))雙極結(jié)晶體管(BJT)產(chǎn)品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封裝。這些備有多種封裝選擇的新器件采用先進(jìn)硅技術(shù)，與傳統(tǒng)BJT或者平板MOSFET相比，其電源效率更佳，電池壽命更長(zhǎng)。這些新器件是各種便攜式應(yīng)用的選擇。
新型低Vce(sat)表面貼裝器件是特別針對(duì)低電壓，高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)而成，其中電源效率控制至關(guān)重要。其特征為超低Vce(sat)——1安培下45毫伏(mV)——和高電流增益。它們具有>8,000伏(V)的出色靜電放電(ESD)耐受性，可以在發(fā)生意外浪涌和損害的情況下進(jìn)行自我保護(hù)。其電性能優(yōu)越和溫度系數(shù)低，提高了電源效率，并最終提高了電池電力保持能力。
SOT-23是業(yè)內(nèi)最受歡迎的封裝之一，且價(jià)格最低。SOT-563是最小的新型BJT封裝(1.6mm×1.6mm×1.0mm)。 兩種WDFN封裝為2.0mm×2.0mm，并且高度低，為0.7mm，是目前市場(chǎng)上便攜式應(yīng)用中的熱效率最好的。3.0mm×2.0mm×1.0mm的ChipFET的整體性能最佳。
這些器件理想應(yīng)用于電源管理、電池充電、低壓降穩(wěn)壓、振動(dòng)馬達(dá)、LED背光、磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)控制、照相機(jī)閃光燈以及低降壓/升壓轉(zhuǎn)換器。
封裝及定價(jià)
完整的低Vce(sat) BJT系列備有多種行業(yè)領(lǐng)先的封裝，包括SOT-23、SOT-563、WDFN、ChipFET、SC-88、SC-74和TSOP-6。每10,000片的批量單價(jià)由0.18到0.40美元不等。
新型低Vce(sat)表面貼裝器件是特別針對(duì)低電壓，高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)而成，其中電源效率控制至關(guān)重要。其特征為超低Vce(sat)——1安培下45毫伏(mV)——和高電流增益。它們具有>8,000伏(V)的出色靜電放電(ESD)耐受性，可以在發(fā)生意外浪涌和損害的情況下進(jìn)行自我保護(hù)。其電性能優(yōu)越和溫度系數(shù)低，提高了電源效率，并最終提高了電池電力保持能力。
SOT-23是業(yè)內(nèi)最受歡迎的封裝之一，且價(jià)格最低。SOT-563是最小的新型BJT封裝(1.6mm×1.6mm×1.0mm)。 兩種WDFN封裝為2.0mm×2.0mm，并且高度低，為0.7mm，是目前市場(chǎng)上便攜式應(yīng)用中的熱效率最好的。3.0mm×2.0mm×1.0mm的ChipFET的整體性能最佳。
這些器件理想應(yīng)用于電源管理、電池充電、低壓降穩(wěn)壓、振動(dòng)馬達(dá)、LED背光、磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)控制、照相機(jī)閃光燈以及低降壓/升壓轉(zhuǎn)換器。
封裝及定價(jià)
完整的低Vce(sat) BJT系列備有多種行業(yè)領(lǐng)先的封裝，包括SOT-23、SOT-563、WDFN、ChipFET、SC-88、SC-74和TSOP-6。每10,000片的批量單價(jià)由0.18到0.40美元不等。
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編輯：Sepnova
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本文鏈接：安森美推出全新11款便攜用雙極結(jié)晶體管
http:www.mangadaku.com/news/2006-11/200611693241.html
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文章標(biāo)簽： 安森美/雙極結(jié)晶體管
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