Zetex Semiconductors近日推出新型ZXTC2045E6器件,它與互補NPN和PNP晶體管集成在一個SOT236封裝內,可滿足電源設計中大功率MOSFET和IGBT所需的驅動要求。
Zetex亞洲副總裁林博文先生指出,在峰值脈沖電流高達5A的情況下,這款新型雙極器件能加快柵極電容的充電和放電速度,從而提升效率。由于NPN和PNP器件的射極引腳互相分開,有助于設計人員自由選擇獨立的電阻值,更準確地控制柵極充電和放電周期。
這款雙晶體管采用SOT236封裝,占板面積只有9mm2,板外高度僅為1.3mm,有助于減少電路板尺寸,提高功率密度。器件的額定工作電壓為40V,典型增益為300,適用于各種柵極驅動器電路。
Zetex亞洲副總裁林博文先生指出,在峰值脈沖電流高達5A的情況下,這款新型雙極器件能加快柵極電容的充電和放電速度,從而提升效率。由于NPN和PNP器件的射極引腳互相分開,有助于設計人員自由選擇獨立的電阻值,更準確地控制柵極充電和放電周期。
這款雙晶體管采用SOT236封裝,占板面積只有9mm2,板外高度僅為1.3mm,有助于減少電路板尺寸,提高功率密度。器件的額定工作電壓為40V,典型增益為300,適用于各種柵極驅動器電路。
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本文鏈接:Zetex全新微型雙極封裝提升電源效率
http:www.mangadaku.com/news/2006-3/200631592025.html
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