意法半導體日前發布先進的雙端控制器:L6599,新控制器專為串聯共振半橋拓撲結構設計。豐富的功能、靈活的設計,使其實現了卓越的性能,可用于設計完全受保護的、高可靠性電源,這些電源特別適用于LCD、PDP電視、筆記本電腦與游戲控制臺所需的高端AC/DC適配器、80+自適應ATX銀盒、服務器與電信SMPS等應用。

相對于L6598,新的L6599添加的特性包括:用于直接連接PFC(功率因數校正器)的專用輸出、兩級過電流保護(OCP)、鎖存禁用輸入、輕負載的突發模式操作、輸入上電/斷電次序及低壓保護。
該器件具有50%互補占空比及嵌入的固定停滯時間,確保了軟啟動轉換。支持高效、低電磁干擾輻射的高頻運作(最高500kHz)。為了以自舉方式驅動高端開關,新器件集成高壓浮動構造,可以經受超過600V的電壓。采用同步驅動高壓橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS),因而無需外部快速恢復陰極負載二極管。
L6599提供了門驅動器具備的典型0.6A源電流與1.2A吸收電流的峰值電流特性,并支持設計人員通過外部可編程振蕩器設置工作頻率范圍。
非線性軟啟動防止突入電流并最小化輸出電壓過沖。器件具有受控的突發模式運作,因此顯著的降低了平均開關頻率及輕負載或空載條件下的相關損耗。
利用新的共振控制器,設計師可以滿足能量節省的需求,即使是在功率因數校正系統中。專用的輸出令該IC電路在突發模式中可關斷功率因數校正器的前置調節器,因此消除了該階段的無負載損耗。
L6599的其他主要特性包括:小于30mW的低功耗、歪斜率50V/ns下確保的無閉鎖效應、非鎖存禁止輸入、高性能過電流保護,可提供針對過載及短路現象的完整保護。此外,附加的鎖存禁止輸入可輕松實現過溫和/或過壓保護(OVP)。
L6599以三種版本供應:L6599N,采用PDIP16封裝;L6599D與L6599DTR,采用SO16N封裝。現已投入生產,器件起價為$1.20(25000片起)。

相對于L6598,新的L6599添加的特性包括:用于直接連接PFC(功率因數校正器)的專用輸出、兩級過電流保護(OCP)、鎖存禁用輸入、輕負載的突發模式操作、輸入上電/斷電次序及低壓保護。
該器件具有50%互補占空比及嵌入的固定停滯時間,確保了軟啟動轉換。支持高效、低電磁干擾輻射的高頻運作(最高500kHz)。為了以自舉方式驅動高端開關,新器件集成高壓浮動構造,可以經受超過600V的電壓。采用同步驅動高壓橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS),因而無需外部快速恢復陰極負載二極管。
L6599提供了門驅動器具備的典型0.6A源電流與1.2A吸收電流的峰值電流特性,并支持設計人員通過外部可編程振蕩器設置工作頻率范圍。
非線性軟啟動防止突入電流并最小化輸出電壓過沖。器件具有受控的突發模式運作,因此顯著的降低了平均開關頻率及輕負載或空載條件下的相關損耗。
利用新的共振控制器,設計師可以滿足能量節省的需求,即使是在功率因數校正系統中。專用的輸出令該IC電路在突發模式中可關斷功率因數校正器的前置調節器,因此消除了該階段的無負載損耗。
L6599的其他主要特性包括:小于30mW的低功耗、歪斜率50V/ns下確保的無閉鎖效應、非鎖存禁止輸入、高性能過電流保護,可提供針對過載及短路現象的完整保護。此外,附加的鎖存禁止輸入可輕松實現過溫和/或過壓保護(OVP)。
L6599以三種版本供應:L6599N,采用PDIP16封裝;L6599D與L6599DTR,采用SO16N封裝。現已投入生產,器件起價為$1.20(25000片起)。
免責聲明:本文僅代表作者個人觀點,與電源在線網無關。其原創性以及文中陳述文字和內容未經本站證實,對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾,請讀者僅作參考,并請自行核實相關內容。
本文鏈接:ST發布雙端控制器用于高性能電源設計(
http:www.mangadaku.com/news/2006-6/200662793515.html
http:www.mangadaku.com/news/2006-6/200662793515.html

