時光飛逝，2006年轉眼已過半程。從2006年上半年的全球半導體業發展來看正穩健成長，相比于去年同期已好過不少。雖然增長率不是很高，但對一個具有2000多億美元的產業，哪怕只有5%的增長也超百億美元。半導體工業正在變革，競爭性超過從前。回顧半年歷程，有一些重要的事件將對半導體產業的未來產生重要影響。
■美國應用材料公司顧問 莫大康
CSIA與WSC簽署合作備忘錄
正值世界杯期間，中國半導體行業協會(CSIA)也“踢出”關鍵性的一腳。6月15日是一個重要的日子，CSIA理事長俞忠鈺與世界半導體理事會(WSC)2006年輪值主席、美國半導體行業協會(SIA)主席Brian Halla簽署合作備忘錄。備忘錄的簽署，標志中國半導體行業與世界主要半導體生產國家與地區的合作交往翻開了新的一頁。
申請加入WSC，一方面將有利于中國半導體業與全球半導體業真正融為一體，包括數據統計、IP保護及國際間合作等。另一方面，開始在國際統一口徑下辦事，對中國半導體業要求更為嚴格及迫切。所以，中國半導體業必須以此為契機，努力跟蹤，尋找合適時機，爭取在部分領域實現突破。
轉移加快兼并加劇
盡管業界一致認為，全球半導體業將不會再有如2000年及2004年那樣大起大落的增長，代之較為溫和的小幅增長。但是半導體業的競爭性使“大者恒大”法則幾乎不會改變。
產業鏈的轉移向附加值更高端發展是趨勢，半導體產業也必須遵循此法則。目前來看，后道封裝測試業已無疑義地向中國轉移。而對于芯片制造業，先進國家有苗頭開始執行“輕晶圓廠Fab-lite”策略。比較成功的是摩托羅拉的28個半導體廠，最終通過兼并、出售，只剩下9個。連2000年在中國天津耗資19億美元建成的新8英寸生產線，最終以2.6億美元的股權讓給中芯國際。但這9個廠都是佼佼者。
2005年成功轉移的還有LSIlogic，出售芯片制造廠變成fabless公司；Agilent出售芯片線成為測試儀供應商。近期，其余的若干小廠間兼并也不乏見，如德國Xfab兼并馬來西亞的first silicon；日本Epson花費8142萬美元從IBM手中買回在日本合資廠的股份等。
還有如今正引起全球關注的是英飛凌的內存部門搖身一變，新公司“Qimonda”繼續闖蕩內存市場；以及飛利浦決定分拆其半導體部于今年底上市等。
無論英飛凌或是飛利浦，一個共同點都在執行“輕晶圓廠”策略，也即半導體產業鏈在提升，連晶圓廠制造也逐漸退出代之以向芯片設計、IP貿易及第三方設計公司等轉移。
市場態勢仍不明朗
美國著名機構WSTS(全球半導體貿易統計)的春季預測表示，2006年全球半導體業增長為10.1%，達2500億美元，2007年和2008年將分別再增長11%及12.8%。
這個數據高于原先WSTS于2005年的秋季預測，那時預測2006年增長為8%。從整體上，半導體市場已經看不到周期起伏，僅局部區域及產品組仍有周期性的形態。其中亞太地區增長最快，原因不僅是需求增長，而是依靠產能的轉移。近期另一家機構Gartner表示因全球PC市場的上升而提升2006年半導體業的預測，從原先的9.5%調高至10.6%。
iSuppli在6月28日對2006年全球半導體業又做了新的預測，從原先的7.4%提高到7.9%。
但是業界的聲音是不同的，另一家著名機構SIA(半導體工業協會)已經調整2006年全球半導體業的增長從11%下降至9%，并認為2006年半導體業增長可能僅有4%，明確表示全球半導體業將趨緩。
另一家銀行投資分析機構Handlebanken的分析師在解讀4月的WSTS報告后認為，Intel處理器芯片從數量上下降21%及價格下降40%，預期Intel第二季度的業績肯定下降，銷售額將從2005年的340億美元調整至2006年的330億美元。而其老對手AMD也在所難免，相應銷售額為2005年的34億美元及2006年的33億美元。所以于6月27日對全球半導體業又重新做修正，由原來的6%降低為5%。
全球量大面廣的芯片產品，主要有三類：CPU、存儲器包括閃存及FPGA(現場可編程門陣列)。目前來看，因Intel與AMD兩家打得不可開交，CPU市場有下降的趨勢。
全球存儲器業因MP3、手機及計算機中對存儲容量的需求上升，從數量上需求增加不少，但是降價的壓力也大，光第一季度NAND閃存的價格下降達30%。所以總體上全球存儲器業2005年總計為471.9億美元，而2006年可為492.5億美元，銷售額凈增長為4.4%。
無論如何，全球半導體業與2005年初因庫存增大而一片下降的態勢相比，2006年上半年的態勢是不錯的，最根本的原因在于兩大終端產品計算機及手機的需求增長。據IDC最新資料，2006年PC的增長已由3月時的預測10.5%調高至10.8%，而手機的需求增長可達18%。另外，一個很顯見的因素是2006年全球半導體固定資產的投入達513億美元，相比2005年增加12%，其主要增加因素來自日本的芯片制造商及DRAM業。
然而，也有負面的觀點，如摩根大通首席半導體分析師夏鮑文擔心IC庫存問題會在下半年爆發，并對PC的庫存甚為擔憂。再如全球在第二季度時，全球fabless廠的庫存已達5年來的新高，預測下半年全球半導體的需求將不如從前，可能面臨向下調的壓力。
對于全球半導體業的態勢有不同的看法是正常的。不過如今半導體業已今非昔比，那種強勁增長的態勢已不再重現。半導體業趨向更加成熟，相對會受各種外界干擾的因素變化機會增大。另外，最近全球芯片業的老大Intel與AMD打得不可開交，似乎未見勝績。相反，傳言中擬出售通訊芯片部門及裁員等已得到證實，會給全球半導體業帶來巨大的不利影響，尤其是半導體指數。
存儲器還是亮點
iSuppli的著名分析師Nam Hyung Kim于最近指出，全球NAND市場已結束下降趨勢。
自進入2006年以來，DRAM市場之所以能夠穩健發展，不再像過去那樣出現大起大落，NAND Flash可謂功不可沒。今年第一季度以來，盡管全球NAND Flash售價出現大幅下滑，達30%，足以與2005年一整年的跌幅相抗衡。但是即便如此，對于眾多DRAM廠而言還是不畏艱難，持續將DRAM產能轉入NAND Flash。
DRAM廠之所以如此義無反顧，在于NAND Flash的利潤豐厚，遠遠高于標準型DRAM。因此到目前為止，還未見有轉入NAND Flash產能的DRAM廠，愿意再將產能轉回標準型DRAM。在此情況下，DRAM產能的增加絕大多數來自于工藝技術的改進，以及新增投片的12英寸產能，導致今年半導體業總投資中，DRAM業仍是主角。
從NAND Flash需求來判斷，經過近一個季度以來的跌價，到了3月底左右，消費者已漸因整體NAND Flash平均銷售單價大跌而開始進一步刺激需求，NAND Flash報價已達谷底。據傳近期三星電子及海力士將上調NAND Flash售價。
Gartner預測全球移動多媒體播放器市場2006年達1.87億臺，而2005年為1.34億臺，其中2005年中使用NAND型flash達80%。預計今年第四季度，蘋果公司將再次推出容量達10Gb-12Gb的高端NAND型iPod。Gartner認為iPod MP3的市場對于全球NAND型Flash市場的影響不可低估。
NAND型flash存儲容量自2002起每年增長2倍，2006年第一季度因季節性原因呈過量模式，而第二季度變得過緊。2006年預計總計有1%-2%的過量。2006年存儲器生產量為641031TB(1TB=1024Gb)，比2005年上升198%，而2006年的需求為636572TB，比2005年上升194%。NAND閃存市場中MP3占37%，USB占17%，手機占14%，其他為5%。
DRAM市場正經歷每2年的周期循環。由目前情況看來，多數DRAM廠旗下的8英寸廠因無法繼續升級至下一代工藝技術，即將陸續被淘汰，業界預測從性價比角度考慮，2005年的12英寸DRAM硅片已超過8英寸。但是，由于新增12英寸廠的產能相對仍較小，所以當產業在逐漸失去8英寸廠所生產的DRAM產能的情況下，2006年即便有不少新的12英寸產能開出，恐怕還是無可避免地會陷入“供不應求”狀態。所以預計全年DRAM的價格不會持續走軟。
另一個很重要因素是DRAM產業已確定由原本的DDR規格轉入DDRII。自2006年第一季度以來，由于市場上DDRII售價明顯高過DDR，每顆DDRII產品毛利較DDR要高出30%～40%，導致DRAM廠全力沖刺DDIIR產能，相對也造成DDR產出量的減少，估計全球第二季度及第一季度其DDR產出量減少達50%以上。
但是由于大多數新興市場對于PC的規格需求主要集中在便宜的低檔產品，所以DDR架構PC仍是主流。在此情況下，市場對DDR產品需求實際上并未大幅下降，然而DRAM廠供給量卻已大幅削減，造成DDR在現貨市場價格明顯拉高，256Mb DRAM報價達2.4美元～2.5美元，為2006年以來最高價位。
未來NAND移動閃存卡最大的潛在市場在于手機應用，最近開始將NAND用作外部存儲解決方案。iSuppli預測，2006年手機中應用將超過數碼相機成為移動閃存卡的主要市場。據預測，2005年手機存儲卡的平均容量為112M，到2010年將提高到1.6G，相當每年容量增加70%，2005年用于手機的可移動存儲卡增長160%。
45納米生產提上日程
據英特爾公司報道，第一個采用65納米制造工藝的芯片工廠在美國俄勒岡州的波特蘭，2005年已開始了制造芯片的運作。第二個工廠在亞利桑那州的Chandler，今年早些時候開始運作。6月23日英特爾第三個65納米芯片工廠開始投產，愛爾蘭工廠的成本效益最高。
英特爾總裁奧特里尼表示，目前英特爾在三個工廠中已采用最先進的65納米制造工藝技術生產大量芯片。在英特爾公司向全球計算機和服務器提供的微處理器中，65納米制造工藝生產的微處理器已經超過了一半。公司還計劃在2007年底之前推出更先進的45納米制造工藝芯片。
另外，臺積電的副總裁Jack Sun表示，公司最快將在2007年第三季度開始采用45納米的生產工藝進行批量生產。此外市場消息指出，臺灣聯電目前也在致力于發展45納米的生產工藝。Sun指出，臺積電已經成功研發了45納米的系統芯片開發平臺，并正努力讓公司成為頭三家成功地采用45納米生產工藝的廠商之一。而目前IBM公司是唯一一家突破這一里程碑的廠商。公司此前宣稱已經成功地開發了29納米的生產工藝。
臺積電近來在發展自己的先進生產工藝上表現得十分努力，公司和ASML公司合作開發的浸入式光刻技術在今后也許將成為主流技術。臺積電預期在2009年時可能會采用32納米的生產工藝進行批量生產。
■美國應用材料公司顧問 莫大康
CSIA與WSC簽署合作備忘錄
正值世界杯期間，中國半導體行業協會(CSIA)也“踢出”關鍵性的一腳。6月15日是一個重要的日子，CSIA理事長俞忠鈺與世界半導體理事會(WSC)2006年輪值主席、美國半導體行業協會(SIA)主席Brian Halla簽署合作備忘錄。備忘錄的簽署，標志中國半導體行業與世界主要半導體生產國家與地區的合作交往翻開了新的一頁。
申請加入WSC，一方面將有利于中國半導體業與全球半導體業真正融為一體，包括數據統計、IP保護及國際間合作等。另一方面，開始在國際統一口徑下辦事，對中國半導體業要求更為嚴格及迫切。所以，中國半導體業必須以此為契機，努力跟蹤，尋找合適時機，爭取在部分領域實現突破。
轉移加快兼并加劇
盡管業界一致認為，全球半導體業將不會再有如2000年及2004年那樣大起大落的增長，代之較為溫和的小幅增長。但是半導體業的競爭性使“大者恒大”法則幾乎不會改變。
產業鏈的轉移向附加值更高端發展是趨勢，半導體產業也必須遵循此法則。目前來看，后道封裝測試業已無疑義地向中國轉移。而對于芯片制造業，先進國家有苗頭開始執行“輕晶圓廠Fab-lite”策略。比較成功的是摩托羅拉的28個半導體廠，最終通過兼并、出售，只剩下9個。連2000年在中國天津耗資19億美元建成的新8英寸生產線，最終以2.6億美元的股權讓給中芯國際。但這9個廠都是佼佼者。
2005年成功轉移的還有LSIlogic，出售芯片制造廠變成fabless公司；Agilent出售芯片線成為測試儀供應商。近期，其余的若干小廠間兼并也不乏見，如德國Xfab兼并馬來西亞的first silicon；日本Epson花費8142萬美元從IBM手中買回在日本合資廠的股份等。
還有如今正引起全球關注的是英飛凌的內存部門搖身一變，新公司“Qimonda”繼續闖蕩內存市場；以及飛利浦決定分拆其半導體部于今年底上市等。
無論英飛凌或是飛利浦，一個共同點都在執行“輕晶圓廠”策略，也即半導體產業鏈在提升，連晶圓廠制造也逐漸退出代之以向芯片設計、IP貿易及第三方設計公司等轉移。
市場態勢仍不明朗
美國著名機構WSTS(全球半導體貿易統計)的春季預測表示，2006年全球半導體業增長為10.1%，達2500億美元，2007年和2008年將分別再增長11%及12.8%。
這個數據高于原先WSTS于2005年的秋季預測，那時預測2006年增長為8%。從整體上，半導體市場已經看不到周期起伏，僅局部區域及產品組仍有周期性的形態。其中亞太地區增長最快，原因不僅是需求增長，而是依靠產能的轉移。近期另一家機構Gartner表示因全球PC市場的上升而提升2006年半導體業的預測，從原先的9.5%調高至10.6%。
iSuppli在6月28日對2006年全球半導體業又做了新的預測，從原先的7.4%提高到7.9%。
但是業界的聲音是不同的，另一家著名機構SIA(半導體工業協會)已經調整2006年全球半導體業的增長從11%下降至9%，并認為2006年半導體業增長可能僅有4%，明確表示全球半導體業將趨緩。
另一家銀行投資分析機構Handlebanken的分析師在解讀4月的WSTS報告后認為，Intel處理器芯片從數量上下降21%及價格下降40%，預期Intel第二季度的業績肯定下降，銷售額將從2005年的340億美元調整至2006年的330億美元。而其老對手AMD也在所難免，相應銷售額為2005年的34億美元及2006年的33億美元。所以于6月27日對全球半導體業又重新做修正，由原來的6%降低為5%。
全球量大面廣的芯片產品，主要有三類：CPU、存儲器包括閃存及FPGA(現場可編程門陣列)。目前來看，因Intel與AMD兩家打得不可開交，CPU市場有下降的趨勢。
全球存儲器業因MP3、手機及計算機中對存儲容量的需求上升，從數量上需求增加不少，但是降價的壓力也大，光第一季度NAND閃存的價格下降達30%。所以總體上全球存儲器業2005年總計為471.9億美元，而2006年可為492.5億美元，銷售額凈增長為4.4%。
無論如何，全球半導體業與2005年初因庫存增大而一片下降的態勢相比，2006年上半年的態勢是不錯的，最根本的原因在于兩大終端產品計算機及手機的需求增長。據IDC最新資料，2006年PC的增長已由3月時的預測10.5%調高至10.8%，而手機的需求增長可達18%。另外，一個很顯見的因素是2006年全球半導體固定資產的投入達513億美元，相比2005年增加12%，其主要增加因素來自日本的芯片制造商及DRAM業。
然而，也有負面的觀點，如摩根大通首席半導體分析師夏鮑文擔心IC庫存問題會在下半年爆發，并對PC的庫存甚為擔憂。再如全球在第二季度時，全球fabless廠的庫存已達5年來的新高，預測下半年全球半導體的需求將不如從前，可能面臨向下調的壓力。
對于全球半導體業的態勢有不同的看法是正常的。不過如今半導體業已今非昔比，那種強勁增長的態勢已不再重現。半導體業趨向更加成熟，相對會受各種外界干擾的因素變化機會增大。另外，最近全球芯片業的老大Intel與AMD打得不可開交，似乎未見勝績。相反，傳言中擬出售通訊芯片部門及裁員等已得到證實，會給全球半導體業帶來巨大的不利影響，尤其是半導體指數。
存儲器還是亮點
iSuppli的著名分析師Nam Hyung Kim于最近指出，全球NAND市場已結束下降趨勢。
自進入2006年以來，DRAM市場之所以能夠穩健發展，不再像過去那樣出現大起大落，NAND Flash可謂功不可沒。今年第一季度以來，盡管全球NAND Flash售價出現大幅下滑，達30%，足以與2005年一整年的跌幅相抗衡。但是即便如此，對于眾多DRAM廠而言還是不畏艱難，持續將DRAM產能轉入NAND Flash。
DRAM廠之所以如此義無反顧，在于NAND Flash的利潤豐厚，遠遠高于標準型DRAM。因此到目前為止，還未見有轉入NAND Flash產能的DRAM廠，愿意再將產能轉回標準型DRAM。在此情況下，DRAM產能的增加絕大多數來自于工藝技術的改進，以及新增投片的12英寸產能，導致今年半導體業總投資中，DRAM業仍是主角。
從NAND Flash需求來判斷，經過近一個季度以來的跌價，到了3月底左右，消費者已漸因整體NAND Flash平均銷售單價大跌而開始進一步刺激需求，NAND Flash報價已達谷底。據傳近期三星電子及海力士將上調NAND Flash售價。
Gartner預測全球移動多媒體播放器市場2006年達1.87億臺，而2005年為1.34億臺，其中2005年中使用NAND型flash達80%。預計今年第四季度，蘋果公司將再次推出容量達10Gb-12Gb的高端NAND型iPod。Gartner認為iPod MP3的市場對于全球NAND型Flash市場的影響不可低估。
NAND型flash存儲容量自2002起每年增長2倍，2006年第一季度因季節性原因呈過量模式，而第二季度變得過緊。2006年預計總計有1%-2%的過量。2006年存儲器生產量為641031TB(1TB=1024Gb)，比2005年上升198%，而2006年的需求為636572TB，比2005年上升194%。NAND閃存市場中MP3占37%，USB占17%，手機占14%，其他為5%。
DRAM市場正經歷每2年的周期循環。由目前情況看來，多數DRAM廠旗下的8英寸廠因無法繼續升級至下一代工藝技術，即將陸續被淘汰，業界預測從性價比角度考慮，2005年的12英寸DRAM硅片已超過8英寸。但是，由于新增12英寸廠的產能相對仍較小，所以當產業在逐漸失去8英寸廠所生產的DRAM產能的情況下，2006年即便有不少新的12英寸產能開出，恐怕還是無可避免地會陷入“供不應求”狀態。所以預計全年DRAM的價格不會持續走軟。
另一個很重要因素是DRAM產業已確定由原本的DDR規格轉入DDRII。自2006年第一季度以來，由于市場上DDRII售價明顯高過DDR，每顆DDRII產品毛利較DDR要高出30%～40%，導致DRAM廠全力沖刺DDIIR產能，相對也造成DDR產出量的減少，估計全球第二季度及第一季度其DDR產出量減少達50%以上。
但是由于大多數新興市場對于PC的規格需求主要集中在便宜的低檔產品，所以DDR架構PC仍是主流。在此情況下，市場對DDR產品需求實際上并未大幅下降，然而DRAM廠供給量卻已大幅削減，造成DDR在現貨市場價格明顯拉高，256Mb DRAM報價達2.4美元～2.5美元，為2006年以來最高價位。
未來NAND移動閃存卡最大的潛在市場在于手機應用，最近開始將NAND用作外部存儲解決方案。iSuppli預測，2006年手機中應用將超過數碼相機成為移動閃存卡的主要市場。據預測，2005年手機存儲卡的平均容量為112M，到2010年將提高到1.6G，相當每年容量增加70%，2005年用于手機的可移動存儲卡增長160%。
45納米生產提上日程
據英特爾公司報道，第一個采用65納米制造工藝的芯片工廠在美國俄勒岡州的波特蘭，2005年已開始了制造芯片的運作。第二個工廠在亞利桑那州的Chandler，今年早些時候開始運作。6月23日英特爾第三個65納米芯片工廠開始投產，愛爾蘭工廠的成本效益最高。
英特爾總裁奧特里尼表示，目前英特爾在三個工廠中已采用最先進的65納米制造工藝技術生產大量芯片。在英特爾公司向全球計算機和服務器提供的微處理器中，65納米制造工藝生產的微處理器已經超過了一半。公司還計劃在2007年底之前推出更先進的45納米制造工藝芯片。
另外，臺積電的副總裁Jack Sun表示，公司最快將在2007年第三季度開始采用45納米的生產工藝進行批量生產。此外市場消息指出，臺灣聯電目前也在致力于發展45納米的生產工藝。Sun指出，臺積電已經成功研發了45納米的系統芯片開發平臺，并正努力讓公司成為頭三家成功地采用45納米生產工藝的廠商之一。而目前IBM公司是唯一一家突破這一里程碑的廠商。公司此前宣稱已經成功地開發了29納米的生產工藝。
臺積電近來在發展自己的先進生產工藝上表現得十分努力，公司和ASML公司合作開發的浸入式光刻技術在今后也許將成為主流技術。臺積電預期在2009年時可能會采用32納米的生產工藝進行批量生產。
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來源：中國電子報
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http:www.mangadaku.com/news/2006-7/200671994424.html
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