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安森美推出18款新功率MOSFET計算器件

功率MOSFET優化直流-直流轉換并降低CPU/GPU 供電、直流－直流轉換器及高低端轉換中的臨界電流水平功耗

　　2006年8月15日——全球領先的電源管理解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出18款優化直流－直流轉換并降低臨界電流水平功耗的新型功率MOSFET器件。這些功率MOSFET適用于計算應用中的CPU/GPU供電，直流－直流轉換及高低端開關，如臺式機、筆記本電腦和服務器中。

　　這些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是單個N-溝道MOSFET提供較低RDS(on)以盡量降低功耗。器件的門極電荷和門極電荷比也小，降低導電和開關損耗，使電源效率更高。

　　安森美半導體PowerFET部副總裁David Garafano說:“為了幫助我們的客戶滿足特定應用的需要，安森美半導體一直在拓展PowerFET產品系列，以提供業內品種最多的MOSFET。因為安森美半導體有多種生產這些新型MOSFET器件的制造資源，所以我們可以有效地處理突發的需求變化并進一步確保準時供貨。”

器件
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封裝，而每10,000片的批量預算單價在0.40至0.87美元之間。

器件　　　　　　　　 VDS　　 　　 ID 　　　　 Rdson @ 10 V　　　　　　 Qg (典型)
NTD4804N 　　　　　30 V　　　　117 A　　　 4 mΩ　　　　　　　　　　30 nC
NTD4805N 　　　　　30 V　　　　88 A　　　　5 mΩ　　　　　　　　　　20.5 nC
NTD4806N 　　　　　30 V　　　　76 A　　　　6 mΩ　　　　　　　　　　15 nC
NTD4808N 　　　　　30 V　　　　63 A　　　　8 mΩ　　　　　　　　　　11.3 nC
NTD4809N 　　　　　30 V　　　　58 A　　　　9 mΩ　　　　　　　　　　10.7 nC
NTD4810N 　　　　　30 V　　　　54 A　　　　10 mΩ　　　　　　　　　　9 nC
NTD4813N 　　　　　30 V　　　　40 A　　　　13 mΩ　　　　　　　　　　6.9 nC
NTD4815N 　　　　　30 V　　　　35 A　　　　15 mΩ　　　　　　　　　　6 nC

　　其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引腳封裝- 帶外露引腳框于背面使散熱更佳。這些器件的每10,000片的批量預算單價在0.71至0.91美元之間。
　
　　　
器件　　　　　　　　 VDS　　 　 ID 　　　　　 Rdson @ 10 V　 　　　Qg (典型)
NTMFS4833N 　　　　　30 V　　　　191 A　　　　2 mΩ　　　　　　　　39 nC
NTMFS4834N 　　　　　30 V　　　　130 A　　　　3 mΩ　　　　　　　　33 nC
NTMFS4835N 　　　　　30 V　　　　104 A　　　　3.5 mΩ　　　　　　　25 nC
NTMFS4836N 　　　　　30 V　　　　90 A　　　　 4 mΩ　　　　　　　　19.1 nC
NTMFS4837N 　　　　　30 V　　　　74 A　　　　 5 mΩ　　　　　　　　14.2 nC
NTMFS4839N 　　　　　30 V　　　　66 A　　　　 6 mΩ　　　　　　　　12 nC
NTMFS4841N 　　　　　30 V　　　　57 A　　　　 7 mΩ　　　　　　　　11.9 nC
NTMFS4741N 　　　　　30 V　　　　67 A　　　　 8 mΩ　　　　　　　　15 nC　　
NTMFS4744N 　　　　　30 V　　　　53 A　　　　 10 mΩ　　　　　　　 10 nC
NTMFS4747N 　　　　　30 V　　　　44 A　　　　 13 mΩ　　　　　　　 12 nC

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  來源：安森美

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