美國Cree近日推出了通入350mA電流時光功率達370mW的高功率藍色發(fā)光二極管（LED）芯片“EZBright1000”。光功率為該公司原產(chǎn)品的2倍以上。如果將通入電流提高到1A，則光功率可增至800mW。適用于一般照明設備、車載設備、液晶面板的背照燈以及使用LED作為光源的投影機等需要較高光功率的設備。
制作白色LED時，需要將藍色LED芯片與熒光體材料進行組合。在2006年6月舉辦的“2006年LED技術研討會（LED Technology Symposium 2006）”上，Cree表示如果藍色LED芯片的光功率達到360mW左右，則可得到發(fā)光効率為100lm/W的白色LED。由此可以推測，使用此次的芯片即可制成100lm/W的高功率白色LED。
EZBright1000在通入350mA電流時的正向電壓為標準3.3V。包括光功率最小分別為200mW及300mW的兩種型號，各型號又分別備有發(fā)光波長在450nm±5nm、460nm±5nm、470nm±5nm范圍的產(chǎn)品。芯片的安裝尺寸為980μm×980μm。芯片厚度為100μm。芯片的上表面設有負電極，下表面設有正電極。
制作白色LED時，需要將藍色LED芯片與熒光體材料進行組合。在2006年6月舉辦的“2006年LED技術研討會（LED Technology Symposium 2006）”上，Cree表示如果藍色LED芯片的光功率達到360mW左右，則可得到發(fā)光効率為100lm/W的白色LED。由此可以推測，使用此次的芯片即可制成100lm/W的高功率白色LED。
EZBright1000在通入350mA電流時的正向電壓為標準3.3V。包括光功率最小分別為200mW及300mW的兩種型號，各型號又分別備有發(fā)光波長在450nm±5nm、460nm±5nm、470nm±5nm范圍的產(chǎn)品。芯片的安裝尺寸為980μm×980μm。芯片厚度為100μm。芯片的上表面設有負電極，下表面設有正電極。
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來源：日經(jīng)BP社
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本文鏈接：Cree推出將光功率提高一倍新型藍色L
http:www.mangadaku.com/news/2006-9/20069118562.html
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文章標簽： Cree/LED/EZBright10
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