如果使用圖1中的電路，那么您不用求助于電噪聲很大的DC/DC轉(zhuǎn)換器，也不必在降壓電阻器中浪費功率，就能從電壓較高并經(jīng)整流的正弦電壓源獲得5VDC等很低的穩(wěn)定電壓。該應(yīng)用需要一個穩(wěn)定的5VDC源，但是變壓器向全波橋式整流器供應(yīng)18Vrms。在充電階段，兩個等值電解電容器C1和C2在通過正向偏置二極管D1和D2串聯(lián)時，會接收充電電流。一個增強(qiáng)型P溝道MOSFET晶體管Q1，型號為 IRF9530，其柵極接收了由于齊納二極管D4的正向電壓降因而略微為正值的反向柵極偏置電壓，因此保持?jǐn)嚅_。每個電容器均充到大約為整流電壓峰值的一半與D1和D2帶來的正向電壓降之間的差值。全波橋式整流器D5，即Graetz橋，產(chǎn)生了這些電壓降（參考文獻(xiàn)1）。
當(dāng)放電階段開始時，D1獲得反向偏置，而電容器C2則通過穩(wěn)壓器IC1帶來的負(fù)載放電。隨后，二極管D1的陽極電壓繼續(xù)下降，Q1的柵極至源極電壓變?yōu)樨?fù)，并且晶體管導(dǎo)通，使C1能通過正向偏置二極管D3向負(fù)載放電。事實上，兩個電容器串聯(lián)充電，并且向負(fù)載并聯(lián)放電，從而把IC1輸入端的原始整流電壓和紋波電壓降低了一半。在C1放電期間，齊納二極管D4把Q1的柵極至源極電壓箝位在其最高額定值范圍內(nèi)，由此來保護(hù)Q1。
為了正常運行，該電路需要最低負(fù)載電流，穩(wěn)壓器的靜態(tài)耗電電流通常夠用。另外，電容器C2一直充到來自D5的峰值電壓。C1和C2的值以及其余元件的額定值取決于要求的最高負(fù)載電流。電阻器R1和R2的值并不關(guān)鍵。請注意Q1充當(dāng)開關(guān)；選擇某種導(dǎo)通電阻很低的器件就能限制Q1的功率耗散。
作者：Luca Bruno, ITIS Hensemberger Monza, Lissone
當(dāng)放電階段開始時，D1獲得反向偏置，而電容器C2則通過穩(wěn)壓器IC1帶來的負(fù)載放電。隨后，二極管D1的陽極電壓繼續(xù)下降，Q1的柵極至源極電壓變?yōu)樨?fù)，并且晶體管導(dǎo)通，使C1能通過正向偏置二極管D3向負(fù)載放電。事實上，兩個電容器串聯(lián)充電，并且向負(fù)載并聯(lián)放電，從而把IC1輸入端的原始整流電壓和紋波電壓降低了一半。在C1放電期間，齊納二極管D4把Q1的柵極至源極電壓箝位在其最高額定值范圍內(nèi)，由此來保護(hù)Q1。
為了正常運行，該電路需要最低負(fù)載電流，穩(wěn)壓器的靜態(tài)耗電電流通常夠用。另外，電容器C2一直充到來自D5的峰值電壓。C1和C2的值以及其余元件的額定值取決于要求的最高負(fù)載電流。電阻器R1和R2的值并不關(guān)鍵。請注意Q1充當(dāng)開關(guān)；選擇某種導(dǎo)通電阻很低的器件就能限制Q1的功率耗散。
作者：Luca Bruno, ITIS Hensemberger Monza, Lissone
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來源：EDN China
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本文鏈接：從電壓較高的電源獲取較低直流電壓的電路
http:www.mangadaku.com/news/2006-9/2006912104426.html
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