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三菱GaN底板助力，新型非極性面LED及半導體激光器閃亮登場

        美國加州大學圣巴巴拉分校（UCSB）與三菱化學的研究小組在日前于美國拉斯維加斯舉辦的氮化物半導體國際學會“ICNS-7”上，發表了利用GaN結晶非極性面的LED和半導體激光器。非極性LED和半導體激光器均使用了三菱化學的m面GaN底板。  
        UCSB與三菱化學的研究小組發表了利用非極性面中的m面的藍色LED。如果將阱層厚8nm、勢壘層厚18nm的量子阱的發光層進行6次層疊（即形成6層），20mA驅動時，光輸出功率為23.7mW，外部量子效率為38.9％，發光波長為407nm。如果將阱層厚16nm、勢壘層厚18nm的量子阱的發光層進行6次層疊（即形成6層），20mA驅動時，光輸出功率為28mW，外部量子效率為45.4％，發光波長為402nm。驅動電流增至200mA時，光輸出功率為250mW，外部量子效率為41％。驅動電流為占空比為1％的脈沖電流。  
        UCSB與三菱化學的研究小組還發表了無需基于AlGaN的包覆層的藍紫色半導體激光器。一般來說，藍紫色半導體激光器要輕松鎖住活性層發出的光，需要使用AlGaN包覆層。由于此次省去了AlGaN包覆層，可抑制激光器元件產生裂縫，有望提高激光器元件的可靠性。  
        UCSB等研究小組試制了共振器長度等不同的多個型號。比如共振器長600μm、寬1.9μm的試制芯片，連續振蕩時的閾值電流為77mA，閾值電流密度為6.8kA/cm2，閾值電壓為5.6V。驅動電流為325mA左右時可連續振蕩發射25mW的激光。  
        此外，UCSB等還公布了其最新成果：將脈沖振蕩時的閾值電流密度降到了2.3kA/cm2，以及將連續振蕩時的閾值電流密度降到了4.0kA/cm2。 

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編輯：shadowhao
  來源：電子工程專輯

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