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Microsemi發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊

2007/10/9 16:45:58   電源在線網(wǎng)
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MicrosemiCorporation日前新推出一系列采用SP3緊湊封裝的標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊。該系列電源模塊設(shè)計(jì)用于電機(jī)控制,采用快速NPTIGBT的3相IGBT橋用于20~50KHz高頻應(yīng)用,采用場溝漕截止IGBT用于5~20KHz的低頻應(yīng)用。所有新款整流器都集成有用于監(jiān)控模塊內(nèi)部溫度的傳感器以實(shí)現(xiàn)過熱保護(hù)。 
  快速NPT類IGBT的電流等級分別為:30A~50A/600V、15~25A/1200V;場溝漕截止型IGBT的電流等級分別為:20A~75A/600V,25A~35A/1200V
  該系列新款電源模塊采用SP3隔離式封裝,尺寸為12mm,引腳封裝僅為40.8mm×73.4mm,是一款結(jié)構(gòu)非常緊湊的電源解決方案。該系列電源模塊采用可軟焊的端子,可輕松地焊接在PCB板上。除了主DC電源連接之外,還提供有另外的DC電源引源用以連濾波電容。因其具有非常低的寄生內(nèi)部感應(yīng)系數(shù),從而可減少過電壓、降低噪音、操作更加安全。     
  雖然這些新款標(biāo)準(zhǔn)模塊是針對工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì),但他們可在簡單升級后用于要求更加嚴(yán)格的工作環(huán)境,如以下航空應(yīng)用:     
    可用氮化鋁基板替代標(biāo)準(zhǔn)鋁用于改進(jìn)熱性能     
    可用SiC替代FRED以改進(jìn)開關(guān)損耗或使其能承受更高工作頻率和溫度     
  可用鋁硅碳(AlSiC)基板替代標(biāo)準(zhǔn)銅基板以減輕重量和延長壽命     
  改進(jìn)封裝以能承受-60℃低溫 
  樣品即將推出。量產(chǎn)(1,000~5,000件)價(jià)格為14.75~36.17美元。
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編輯:shadowhao
  來源:中國電子市場
本文鏈接:Microsemi發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相
http:www.mangadaku.com/news/2007-10/2007109164558.html
文章標(biāo)簽: 三相橋式/電源/模塊
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