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安森美半導(dǎo)體推出更小占位空間和更低高度功率MOSFET(圖)

　　安森美半導(dǎo)體為空間受限的便攜式電子應(yīng)用推出新SOT-723封裝功率MOSFET,新款1.2 mm x 1.2 mm大小的NTK313xx系列提供類同現(xiàn)有便攜式電子應(yīng)用中的SC-89封裝MOSFET的性能表現(xiàn)，但帶來44%更小占位空間和38%更低高度

　　安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）日前推出采用小型SOT-723封裝，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代功率MOSFET，這些新低臨界值功率MOSFET采用安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先業(yè)內(nèi)的Trench技術(shù)來取得能夠和SC-89或SC-75等大上許多封裝MOSFET器件匹敵的電氣和功率性能表現(xiàn)。

　　NTK3134N是一款20 V, 890 mA的N通道MOSFET，NTK3139P則是-20 V, -780 mA的P通道MOSFET，兩款器件在高于200 mA工作電流下的低導(dǎo)通電阻RDS(on)以及1.5 V的低門極電壓讓它們可以通過電源管理ASIC或其他控制器直接控制。

　　NTK313xx器件相當(dāng)適合負(fù)載或電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用和小信號接口切換，內(nèi)置靜電放電(ESD)保護，這些器件把特殊處理和封裝工序需求減到最低。SOT-723封裝的1.2 mm x 1.2 mm占位面積比起提供相似性能，采用SC-89或SC-75封裝的MOSFET節(jié)省了44%的電路板空間，擁有0.5 mm的低垂直間隙，這些新SOT-723封裝MOSFET能滿足新一代超薄手持便攜式設(shè)備的需求。

　　目前兩款器件都已批量生產(chǎn)并供貨，每10,000片的預(yù)算批量單價為0.13美元。

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