中國晶圓廠跨入BCD工藝　搶進模擬IC更上層

    我國不少晶圓廠受限于6英寸、8英寸工藝條件，雖無法朝先進工藝邁進，不過卻在成熟工藝另覓一片春天，包括上海先進、華虹NEC皆積極發(fā)展模擬成熟工藝。其中日前傳出將赴香港掛牌上市的華虹NEC宣布，第三季度將完成0.35微米40伏BCD工藝技術(shù)開發(fā)。過去我國晶圓廠多著重入門級雙載子(Bipolar)工藝，如今積極跨入工藝較為復(fù)雜的BCD(Bipolar、CMOS、DMOS)工藝，工藝技術(shù)方面更上層樓，值得企業(yè)重視。

    上海華虹NEC宣布，目前正與技術(shù)合作伙伴共同開發(fā)新技術(shù)，預(yù)計將跨入0.35微米BCD工藝技術(shù)。同時這項工藝工序設(shè)計配套平臺及IP數(shù)據(jù)庫也已建置完成。華虹NEC預(yù)計，最快將在第三季度開發(fā)完成0.35微米、40伏的BCD工藝，對外供客戶采用。華虹NEC指出，這套工藝技術(shù)主要是針對模擬及電源管理IC、汽車芯片等市場所量身訂做。
　　
    華虹NEC總裁劉文韜表示，電源管理IC向來是華虹NEC的重要目標市場之一。而BCD工藝技術(shù)融合Bipolar、CMOS和DMOS，綜合了高速、較高電壓及低功耗等優(yōu)點，更能符合未來電子產(chǎn)品內(nèi)需要電壓變化、電容保護和延長電池壽命等IC要件。而華虹NEC近來好消息不斷，包括接手上海貝嶺8英寸廠，以及傳出將赴香港進行股票上市(IPO)，預(yù)計籌資3億美元用來擴產(chǎn)。
　　
    我國半導(dǎo)體企業(yè)指出，由于目前受限于資源集中，國內(nèi)晶圓廠僅中芯國際、武漢新芯及無錫海力士(Hynix)、意法半導(dǎo)體(STM)所合資的3座12英寸廠。而大多數(shù)內(nèi)陸晶圓廠仍多以8英寸、6英寸居多，盡管12英寸晶圓工藝上受限，不過6、8英寸晶圓廠近幾年積極靠消費IC及智能卡芯片等內(nèi)陸需求快速起飛，加上電源管理IC等新興模擬市場，對于我國晶圓廠來說，仍到處充滿良機。

    事實上，包括上海先進及中芯國際也積極跨入模擬IC領(lǐng)域，中芯與高通(Qualcomm)曾宣布共同攜手在天津廠生產(chǎn)BiCMOS工藝手機芯片；而上海先進也計劃將旗下5英寸、6英寸廠合并并升級為6英寸廠，并已展開模擬IC的BCD工藝認證，更獲Sipex模擬IC訂單，尤其在大股東飛利浦及客戶恩智浦(NXP)帶動下，將是我國最具潛力的模擬IC代工廠。