安森美涉足HighQ硅-銅集成無源器件制造領(lǐng)域

     安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)近日宣布，將其先進(jìn)的制造工藝技術(shù)擴(kuò)大到HighQ硅-銅集成無源器件(IPD)的制造服務(wù)領(lǐng)域。與昂貴、超高性能的基于砷化鎵-金工藝無源器件相比，這創(chuàng)新的8英寸晶圓技術(shù)比原來較低精密程度的硅-銅工藝成本更低，性能更高。

    安森美半導(dǎo)體的HighQ IPD工藝技術(shù)是諸如不平衡變換器、耦合器和濾波器等無源器件制造的理想選擇。對于便攜和無線應(yīng)用，高性能等于延長電池壽命。

    安森美半導(dǎo)體制造服務(wù)總經(jīng)理Rich Carruth表示：“目前，為了向市場推出具有價格競爭力的電子消費(fèi)品，設(shè)計人員在為板選擇無源器件時只好犧牲性能。以砷化鎵-金工藝制造的無源器件提供較好的性能，但是過高的總體制造成本限制了其用于手機(jī)和其他無線產(chǎn)品。而典型的硅-銅工藝制造的無源器件比砷化鎵無源器件制造成本低，只是性能稍遜。采用安森美半導(dǎo)體HighQ工藝制造的無源器件，為設(shè)計人員提供具價值的第三個選擇——比普通硅-銅器件的Q值高，比砷化鎵無源器件更具價格優(yōu)勢。”

    工藝

    位于美國的世界級安森美半導(dǎo)體200 mm制造廠采用的是IPD工藝。該廠具優(yōu)秀的原型和生產(chǎn)周期，高科技產(chǎn)品生產(chǎn)和故障分析設(shè)備和系統(tǒng)。

    HighQ制造工藝制造出銅鍍層厚實(shí)的電感器、MIM電容器(0.62 fF/um2)以及TiN電阻器(9 ohms/square)，工藝成熟，將滿足全部可靠性評估標(biāo)準(zhǔn)，顯示了該方案的穩(wěn)健。

    * 加工溫度-65℃/150℃

    * 金屬、Vias和MIM電容器上固有的穩(wěn)定性

    * 高溫反位相(Op)壽命(150℃, 504 小時)

    * 額定ESD：HBM, MM

    IPD產(chǎn)品

    Carruth表示：“安森美半導(dǎo)體已經(jīng)為準(zhǔn)備生產(chǎn)的客戶以及需要定制產(chǎn)品設(shè)計方案的客戶提供了HighQ制造服務(wù)。我們快速的原型建立能力，使客戶在短短6周即可完成硅設(shè)計到制造。”

    HighQ制造工藝是不平衡變換器、濾波器和濾波器/耦合器等用于便攜和無線應(yīng)用產(chǎn)品的最佳選擇。

安森美半導(dǎo)體目前正在開發(fā)HighQ高帶寬濾波器系列，用于在高速串行接口上降低電磁干擾(EMI)。樣品將于今年夏季推出，計劃在第四季度生產(chǎn)。

    IPD設(shè)計工具

    安森美半導(dǎo)體為制造服務(wù)的客戶提供用于IPD技術(shù)的設(shè)計組件，能夠有效仿真的第一硅方案結(jié)果，并包含標(biāo)準(zhǔn)的Cadence設(shè)計工具：

    * PCELL生產(chǎn)器、Views等；

    * Cadence Assura DRC、LVS；

    * 帶有安捷倫ADS模型的 Cadence RFDE環(huán)境；

    * 從布局到HFSS仿真環(huán)境全自動轉(zhuǎn)化。

    安森美半導(dǎo)體為潛在客戶提供這套設(shè)計組件，幫助他們進(jìn)行快速的建立原型。