我國半導體技術在全球照明革命中苗頭顯現

    半導體光源具有體積小、壽命長、節能、環保和安全等特點，用它代替白熾燈、熒光燈是人們夢寐以求的目標。半導體照明產業屬于光電子產業領域。隨著第三代半導體材料氮化鎵的突破和藍、綠、白光發光二極管的問世，半導體技術在引發微電子革命之后，又在孕育一場新的產業革命——照明革命。美國、日本、韓國等國家和地區，近年來相繼推出半導體照明計劃，投入巨資進行研發。

    我國“半導體照明工程”重大項目在探索性、前沿性材料生長和器件部分關鍵技術取得突破，部分核心技術突破的苗頭已經顯現。

    目前，國內已首次成功生長出直徑3英寸的SiC單晶，外延片上進行電致發光試驗已得到藍光輸出；以企業為主體的100流明/瓦LED制造技術開發進展較快，特別是在圖形襯底制備及外延生長、垂直結構led芯片制備（襯底剝離和芯片黏接）技術、通過粗化提高光萃取效率技術等方面取得較好進展，在國際上首次推出功率型Si襯底LED芯片產品，已超過課題階段任務目標；半導體照明公共研發平臺取得階段性進展，批量生產的白光LED發光效率最高為68lm/W(@350mA、3.21V)，處于國內高端水平，達到韓國、臺灣地區產業化先進水平，提高了企業產品的市場競爭力；重大應用和規模化系統集成技術研究進展順利，42英寸采用LED背光的液晶電視樣機，已經展出，奧運兩大場館之一的國家游泳中心（水立方）5萬平方米的LED景觀照明工程已完成3輪現場試驗；目前已制定行業標準3項，正在研究制定6項國家標準和10余項行業標準。