安森美獲EN-Genius頒發(fā)的“年度產(chǎn)品”獎(jiǎng)

    全球領(lǐng)先的高能效電源管理解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體宣布公司的NUS3116充電和電源開關(guān)解決方案因其最簡(jiǎn)單的便攜產(chǎn)品充電方法獲得EN-Genius Network頒發(fā)的“年度產(chǎn)品”獎(jiǎng)。

    NUS3116是主開關(guān)功率MOSFET和雙充電雙極結(jié)型晶體管(BJT)，將主電池開關(guān)、墻式充電開關(guān)和USB充電開關(guān)元件集成到單個(gè)元件中，優(yōu)化充電性能，并節(jié)省手持電子設(shè)備電路板上彌足珍貴的空間。

    EN-Genius Network出版人兼總編輯Paul McGoldrick說：“我們從EN-Genius在2007年評(píng)審的數(shù)百款產(chǎn)品中甄選出安森美半導(dǎo)體的NUS3116，因?yàn)檫@器件為便攜充電應(yīng)用提供了簡(jiǎn)單及高性價(jià)比的解決方案。”
 
    關(guān)于NUS3116

    NUS3116集成了主電源開關(guān)-12 伏(V)、-6.2安培(A) μCool?單P溝道MOSFET ，處理主電池開關(guān)功能，還集成了兩個(gè)內(nèi)置低飽和PNP晶體管，處理兩個(gè)通道充電元件。主開關(guān)MOSFET具有40毫歐(m?)的最大導(dǎo)通阻抗RDS(ON)，將便攜電子產(chǎn)品電池工作期間的功率損耗降到最低。兩個(gè)低Vce(sat)晶體管為高達(dá)2 A的充電電流提供良好的熱性能，且在充電結(jié)束時(shí)的Vce壓降低于240毫伏(mV)。

    NUS3116采用DFN-8封裝，僅占用9平方毫米(mm2)的電路板空間，與通常使用三顆TSOP-6封裝、需要互連空間的業(yè)界解決方案相比，節(jié)省了超過20 mm2的板空間。DFN-8封裝的高度僅為0.8 mm，使該器件適用于極小外形的便攜電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)。采用 NUS3116 集成器件更可降低電路板布線的復(fù)雜性。NUS3116每3,000片的批量單價(jià)為0.80美元。