瑞薩發布臨界導通模式的PFC控制IC

    瑞薩科技開發出了臨界導通模式的功率因數校正（PFC）控制IC“R2A20116”。臨界導通模式是指為了改善電源效率和減低噪音，在檢測到升壓線圈的電位為零之后，切換外置MOSFET的模式。該MOSFET的控制方法采用了間插方式——利用主次兩組信號間讓多個開關元件（FET）交叉動作。這樣一來，與利用一個信號驅動多個MOSFET的單模方式相比，輸出信號的紋波電流可減至單模的1/4以下。利用具備上述特點的該IC，可實現電源的輸入濾波器、升壓線圈及輸入/輸出電容器等外置產品的小型化。

    為了改善個人電腦和服務器等所需要的低負荷時的電源效率，還配備了低負荷時停止次級MOSFET驅動信號的功能，以及調節輸出電壓的功能。這樣一來，在所有負荷范圍內均能實現較高的轉換功率。最大電源電壓為24V。工作接合部的溫度為-40～＋150℃。

    內置的保護功能方面，配備了輸入電壓減小時停止工作的電力減弱（Brown-out）功能、兩個過電壓電路以及欠壓保護(UVLO)等。

    封裝采用SOP-20和DILP-20兩種。2008年6月開始樣品供貨。樣品價格均為130日元。

    該公司將在08年4月16日～18日幕張Messe會展中心舉行的“TECHNO-FRONTIER 2008”上展出此次的產品。