作為繼Si之后的新一代功率半導(dǎo)體，SiC是與GaN等一樣備受矚目的材料。有望成為實現(xiàn)電源系統(tǒng)高效率化和小型化的關(guān)鍵所在。關(guān)于SiC的全球最高級別國際學(xué)會“第七屆碳化硅與相關(guān)材料歐洲會議（ECSCRM）”于當(dāng)?shù)貢r間2008年9月7日在西班牙巴塞羅那召開。會議截止日期為08年9月11日。
ECSCRM上，除肖特基二極管（Schottky Barrier Diode）和MOSFET等利用SiC的元件（SiC元器件）外，還將發(fā)表決定SiC元件特性和價格的SiC底板、結(jié)晶成長技術(shù)以及分析技術(shù)等相關(guān)最新成果。除這些技術(shù)外，“還將發(fā)表利用SiC的石墨烯制作技術(shù)和面向生物技術(shù)的應(yīng)用等近來備受矚目的研究成果”（在國際籌劃指導(dǎo)委員會就職的科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)（JST）JST京都科技創(chuàng)新館（Innovation Plaza）館長松波弘之）。
ECSCRM上，除肖特基二極管（Schottky Barrier Diode）和MOSFET等利用SiC的元件（SiC元器件）外，還將發(fā)表決定SiC元件特性和價格的SiC底板、結(jié)晶成長技術(shù)以及分析技術(shù)等相關(guān)最新成果。除這些技術(shù)外，“還將發(fā)表利用SiC的石墨烯制作技術(shù)和面向生物技術(shù)的應(yīng)用等近來備受矚目的研究成果”（在國際籌劃指導(dǎo)委員會就職的科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)（JST）JST京都科技創(chuàng)新館（Innovation Plaza）館長松波弘之）。
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編輯：ronvy
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本文鏈接：下一代功率半導(dǎo)體SiC國際會議召開
http:www.mangadaku.com/news/2008-9/2008926102456.html
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文章標(biāo)簽： SiC元件/功率半導(dǎo)體
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