英飛凌推出性能改進的第三代碳化硅肖特基二極管

    2009年2月18日，德國Neubiberg和美國華盛頓特區(qū)訊——率先推出碳化硅（SiC）肖特基二極管的功率半導體全球領先供應商英飛凌科技股份有限公司（FSE/NYSE：IFX），近日在應用電源電子大會暨展覽會（APEC）上推出第三代thinQ!™SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界最低的器件電容，可在高開關頻率和輕負載條件下提升整個系統(tǒng)的效率，從而幫助降低電源轉換系統(tǒng)成本。此外，英飛凌推出的第三代SiC肖特基二極管是業(yè)界種類最為齊全的碳化硅肖特基二極管系列，不僅包括TO-220封裝（真正的雙管腳版本）產(chǎn)品，還包括面向高功率密度表面貼裝設計的DPAK封裝產(chǎn)品。

    SiC肖特基二極管的主要應用領域是開關模式電源（SMPS）的有源功率因數(shù)校正（CCM PFC）和太陽能逆變器與電機驅動器等其他AC/DC和DC/DC電源轉換應用。

    相對于第二代產(chǎn)品，英飛凌全新的SiC肖特基二極管的器件電容降低約40%，因此減少了開關損耗。例如，工作頻率為250kHz的1kW功率因數(shù)校正級在20%負載條件下整體能效將提高0.4%。更高的開關頻率允許使用成本更低、更小的無源組件（如電感和電容器），實現(xiàn)更高功率密度設計。更低的功耗也降低了對散熱器和風扇的尺寸和數(shù)量要求，從而降低系統(tǒng)成本，提高可靠性。英飛凌期望將某些SMPS應用的系統(tǒng)成本降低20%。

    英飛凌工業(yè)及多元化電子市場部高壓MOS業(yè)務負責人Andreas Urschitz指出：“英飛凌在全球范圍內率先提供SiC肖特基二極管，于2001年推出首批產(chǎn)品。近8年來，英飛凌在多個方面對碳化硅肖特基二極管技術進行了眾多重大改進，例如浪涌電流穩(wěn)定性、開關性能和產(chǎn)品成本，使SiC技術惠及更多應用，并且降低了解決方案成本。SiC是一種真正的創(chuàng)新技術，有助于對抗全球氣候變化，推動太陽能和節(jié)能照明系統(tǒng)市場發(fā)展。它充分說明了英飛凌在電源管理市場的領導地位和致力于在該市場發(fā)展的堅定承諾。”

    供貨、封裝與定價

     英飛凌第三代thinQ! SiC肖特基二極管提供采用TO-220和DPAK封裝的600V（3A、4A、5A、6A、8A、9A、10A和12A）產(chǎn)品和采用TO-220封裝的1200V產(chǎn)品（2A、5A、8A、10A和15A）。產(chǎn)品樣品于2009年1月開始提供，預計在2009年早春開始批量生產(chǎn)。阻斷電壓為600V（3A）的第三代SiC肖特基二極管在訂購量達到萬片時的單價為0.61歐元（0.85美元）。電流為4A的產(chǎn)品在訂購量達到萬片時的單價為0.85歐元（1.19美元），電流為8A的產(chǎn)品在訂購量達到萬片時的單價為1.89歐元（2.65美元）。

    有關英飛凌SiC肖特基二極管的更多信息，敬請訪問www.infineon.com/sic。有關英飛凌功率半導體產(chǎn)品組合的更多詳情，敬請訪問www.infineon.com/powermanagementdiscretes。

關于英飛凌

總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領域——高能效、連通性和安全性提供半導體和系統(tǒng)解決方案。2008財年（截止到9月份），公司實現(xiàn)銷售額43億歐元，在全球擁有約29,100名雇員。英飛凌科技公司的業(yè)務遍及全球，在美國苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。英飛凌公司已列入法蘭克福股票交易所的DAX指數(shù)，并在紐約股票交易所掛牌上市，股票代號：IFX。

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英飛凌在中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國市場。自1996年在無錫建立第一家企業(yè)以來，英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長，在中國擁有近1200多名員工（不包括奇夢達），已經(jīng)成為英飛凌亞太乃至全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產(chǎn)業(yè)鏈，并在銷售、技術研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內領先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。