ST推出功率密度達到業內最高水平的30V功率晶體管

    近日，意法半導體(STM)推出全新系列的30V表面貼裝功率晶體管，導通電阻僅為2毫歐(最大值)，新產品可提高計算機、電信設備和網絡設備的能效。

    采用意法半導體最新的 STripFET VI DeepGATE制造工藝，單元密度提高，以有效芯片尺寸對比，新產品實現業內最佳的導通電阻RDS(ON)，比上一代產品改進大約20個百分點，開關穩壓器和直流--直流轉換器內因此可以使用小尺寸的貼裝功率封裝。這項技術還得益于本身既有的低柵電荷量特性，這項優點讓設計人員可以使用高開關頻率，在產品設計中選用尺寸更小的無源器件，如電感和電容。

    意法半導體新30V表面貼裝功率晶體管產品提供各種工業標準封裝，包括SO-8、DPAK、5×6mm PowerFLAT、3.3×3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK和SOT23-6L，兼容現有的焊盤/引腳布局，同時還能提高能效和功率密度。這一特性使意法半導體的STripFET VI DeepGATE產品系列可以創造出最大的市場機遇。

    首批采用新工藝的產品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6兩款產品。STL150N3LLH6采用5×6mm PowerFLAT封裝，單位面積導通電阻RDS(ON)達到市場最低水平；STD150N3LLH6采用DPAK封裝，導通電阻RDS(ON)為2.4毫歐。

    兩款產品的樣片都已上市，計劃2009年6月開始量產。

    詳情登錄意法半導體公司網站：www.stmicroelectronics.com.cn/pmos。