Vishay Siliconix發布TrenchFET®功率MOSFET

此款3.3mmx 3.3mm占位面積的器件在10V、4.5V和2.5V下的導通電阻分別為3.9mΩ、5.5mΩ和9.8mΩ
具有業界最低導通電阻的新型第三代20V P通道TrenchFET®功率MOSFET

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN，其導通電阻在采用PowerPAK® 1212-8型封裝的產品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK® SO-8或SO-8型封裝占位面積的1/3，可大大節省電路板空間。

    新款Si7615DN提供了超低的導通電阻，在10V、4.5V和2.5V條件下的導通電阻分別為3.9mΩ、5.5mΩ和9.8mΩ。第三代TrenchFET功率MOSFET的低導通電阻意味著更低的傳導損耗，使器件在執行開關任務時比市場上已有的P通道功率MOSFET消耗的能量更少。

    Si7615DN采用了與Vishay最近發布的第三代TrenchFET® 20V P通道器件Si7137DP相同的PowerPAK® SO-8封裝。為滿足各個應用的特殊需求，第三代P通道TrenchFET®封裝為設計工程師提供了多個選項，使工程師能夠在具有最大漏極電流和散熱功率的PowerPAK® SO-8封裝(分別比SO-8封裝高60%和75%)，或是節省空間的PowerPAK® 1212-8封裝之間進行選擇。

    直到最近，只有30V電壓的P通道功率MOSFET才具有這樣低的導通電阻范圍，因此Si7615DN的出現使設計工程師不再依賴于現有的高壓MOSFET。在競爭的30V器件中，采用PowerPAK® 1212-8封裝的器件在10V和4.5V柵極驅動電壓下的導通電阻分別為14.4mΩ和27mΩ。

    Si7615DN可用做電源適配器開關，或用于筆記本電腦、上網本、工業/通用系統中的負載切換應用。適配器開關(在適配器、墻上電源或電池電源之間切換)是始終導通的，并吸取電流。Si7615DN更低的導通電阻使其功耗更低，可節省電能并延長電池壽命。

    新款TrenchFET® 功率MOSFET Si7615DN經過了100%的Rg測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定。現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為10周至12周。

VISHAY SILICONIX簡介

    Vishay Siliconix 是現今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統的固態開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產品的里程碑，包括在業內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。

    創新的傳統不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產品還包括功率集成電路和業界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。

    Siliconix創建于1962年，在1998年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。

VISHAY簡介

    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及提供“一站式”服務的能力使 Vishay 成為了全球業界領先者。有關 Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com�！�