富士通業(yè)界首推125℃規(guī)格的低功耗SiP存儲(chǔ)器

高溫電阻解決了消費(fèi)類產(chǎn)品中的散熱和成本問(wèn)題

    日前，上海–富士通微電子（上海）有限公司今日宣布推出兩款新型消費(fèi)類FCRAM（*1）存儲(chǔ)器芯片-512 Mb（MB81EDS516545）和256 Mb（MB81EDS256545）。這兩款芯片支持DDR SDRAM接口，是業(yè)界首推的將工作溫度范圍擴(kuò)大至125°C的芯片。富士通微電子今日起開(kāi)始提供這兩款新型FCRAM產(chǎn)品。這兩款低功耗存儲(chǔ)器適用于數(shù)字電視、數(shù)字視頻攝像機(jī)等消費(fèi)類電子產(chǎn)品的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）。

    如果SiP架構(gòu)上的片上系統(tǒng)（SoC）整合了新型FCRAM芯片，當(dāng)SiP工作速度提高導(dǎo)致工作溫度上升時(shí)，存儲(chǔ)器也不會(huì)對(duì)操作造成影響或限制，客戶將從中受益。此外，它還具有其它優(yōu)勢(shì)，如可降低產(chǎn)品設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)難度，節(jié)省電路板空間，并減少元器件數(shù)量（詳細(xì)信息請(qǐng)參照下圖）。

    目前，市場(chǎng)對(duì)消費(fèi)類數(shù)字產(chǎn)品的性能、速度和開(kāi)發(fā)成本的要求越來(lái)越高。為滿足這些需求，就會(huì)更多地使用SiP，要求它同時(shí)整合帶有SoC的存儲(chǔ)器芯片。使用SiP可以減少元器件數(shù)量并節(jié)省電路板空間，進(jìn)而能夠降低系統(tǒng)成本。使用SiP還能簡(jiǎn)化高速存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)或采取降噪措施等設(shè)計(jì)。

　
圖1: 存儲(chǔ)器SiP上的散熱設(shè)計(jì)方案比較：
顯示使用新型FCRAM的優(yōu)越性

    如圖1所示，迄今為止，使用傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器，SiP發(fā)揮受限，而使用新型FCRAM產(chǎn)品就可以解決這一問(wèn)題。圖1(a)介紹的SiP架構(gòu)上使用的高性能SoC功耗較高，產(chǎn)生的熱量可使SiP溫度上升到105℃。因?yàn)镾oC的最高溫度額定為125℃，所以操作能夠正常進(jìn)行，但使用傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器僅可在最高為95℃的溫度環(huán)境下運(yùn)行，因此不能使用這一SiP架構(gòu)。

    要在SiP上使用傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器，另外一種方法是添加類似散熱器等散熱器件。如圖1(b)所示，這一方案可使SiP溫度降低到90℃，器件可以運(yùn)行，但是增加了成本和電路板占用面積。因此，許多一直在研究SiP的客戶希望擴(kuò)大存儲(chǔ)器的工作溫度范圍。

    富士通微電子正是應(yīng)對(duì)這一需求而開(kāi)發(fā)出了最高工作溫度為125℃的512 Mb和256 Mb消費(fèi)類FCRAM產(chǎn)品。如1(c)所示，使用額定為125℃的FCRAM，即使整合一顆高功耗的SoC，SiP也能運(yùn)行良好，無(wú)需添加散熱器。這就解決了使用額定為95 ℃的傳統(tǒng)存儲(chǔ)器而需要采取散熱措施而引發(fā)的成本增加問(wèn)題。

    而且，即使在125℃的環(huán)境下運(yùn)行，這些新型FCRAM產(chǎn)品也可以提供傳統(tǒng)DDR SDRAM存儲(chǔ)器兩倍的數(shù)據(jù)傳輸率，同時(shí)還能保持低功耗。事實(shí)上，與傳統(tǒng)的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器相比，新型512 Mb FCRAM能降低功耗達(dá)50%。所以，這些新型FCRAM可以減少消費(fèi)類電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)器的二氧化碳排放達(dá)50%（詳細(xì)信息請(qǐng)參照下圖）。

    富士通微電子將繼續(xù)為SiP開(kāi)發(fā)具備必要性能和功能的產(chǎn)品，從而為消費(fèi)類電子產(chǎn)品提供價(jià)值和成本最優(yōu)的解決方案。

    樣片提供

    銷售目標(biāo)

    每月共銷售一百萬(wàn)片

    產(chǎn)品特性

    1. 業(yè)界首推在125 ℃下運(yùn)行的芯片

    這些新型FCRAM最高工作溫度為125℃，與傳統(tǒng)SDRAM存儲(chǔ)器最高85℃或者95℃的溫度規(guī)格相比，提高了系統(tǒng)內(nèi)的允許功耗。因此，可以實(shí)現(xiàn)SiP解決方案，而這在以前是不可能的，例如：高性能數(shù)字消費(fèi)類電子產(chǎn)品所需的高功耗SoC若整合了存儲(chǔ)器會(huì)導(dǎo)致器件過(guò)熱。而且該產(chǎn)品可以使用低成本封裝，無(wú)需高溫規(guī)格。

    2. 低功耗

    通過(guò)將總線寬擴(kuò)大至64 bit、減少工作頻率和使用終端電阻（*2），與兩個(gè)使用16 bit總線寬的傳統(tǒng)DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器芯片相比，新型FCRAM可降低功耗最高達(dá)50%。這些新型FCRAM可以減少消費(fèi)類電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)器的二氧化碳排放達(dá)50%。

    3. 高速數(shù)據(jù)帶寬

    工作溫度是125℃時(shí)，新型FCRAM通過(guò)使用64bit總線寬并在最高工作頻率為200MHz運(yùn)行時(shí)，可以提供3.2 GB/秒的數(shù)據(jù)傳輸率，這是傳統(tǒng)的DDR2 SDRAM速度的兩倍。若工作溫度不高于105℃（≤ 105℃），在216 MHz的工作頻率下運(yùn)行時(shí)，產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸率將增加到3.46 GB/秒。

    附件

    512 Mb FCRAM和256 Mb FCRAM芯片的主要規(guī)格

    術(shù)語(yǔ)和注釋

    *1. 消費(fèi)類FCRAM：FCRAM（快速循環(huán)隨機(jī)存儲(chǔ)器）是富士通微電子具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的RAM內(nèi)核系統(tǒng)，以高速度和低功耗出名。消費(fèi)類FCRAM是指使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)低功耗SDRAM接口的FCRAM內(nèi)核，最適宜于消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

    *2. 終端電阻：終端電阻是指在電線或信號(hào)終端跨接的電阻，用于消除信號(hào)反射帶來(lái)的干擾，但是其功耗較高。DDR2 SDRAM的終端電阻嵌入到芯片（ODT：片內(nèi)終結(jié)）。

    更多信息，請(qǐng)瀏覽：富士通微電子株式會(huì)社FCRAM產(chǎn)品網(wǎng)站http://www.fujitsu.com/global/services/microelectronics/product/memory/fcram/

    附件

    512 Mb FCRAM-MB81EDS516545的主要規(guī)格

    256 Mb FCRAM-MB81EDS256545的主要規(guī)格

    關(guān)于富士通微電子（上海）有限公司

    富士通微電子（上海）有限公司是富士通在中國(guó)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大連等地均設(shè)有分公司,負(fù)責(zé)統(tǒng)籌富士通在中國(guó)半導(dǎo)體的銷售、市場(chǎng)及現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)支持服務(wù)。

    富士通微電子（上海）有限公司的產(chǎn)品包括專用集成電路（ASIC）、單片機(jī)（MCU）、專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品（ASSP）/片上系統(tǒng)（SoC）和系統(tǒng)存儲(chǔ)芯片,它們是以獨(dú)立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶，并應(yīng)用于廣泛領(lǐng)域。在技術(shù)支持方面，分布于上海、香港及成都的IC設(shè)計(jì)中心和解決方案設(shè)計(jì)中心,通過(guò)與客戶、設(shè)計(jì)伙伴、研發(fā)資源及其他零部件供應(yīng)商的溝通、協(xié)調(diào)，共同開(kāi)發(fā)完整的解決方案，從而形成一個(gè)包括中國(guó)在內(nèi)的完整的亞太地區(qū)設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)及技術(shù)支持網(wǎng)絡(luò)。欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)網(wǎng)站：http://cn.fujitsu.com/fmc

    文中提及的公司名稱和產(chǎn)品名稱是其所有者的商標(biāo)或者注冊(cè)商標(biāo)。該新聞稿中的信息在發(fā)布時(shí)是準(zhǔn)確無(wú)誤的，可能隨時(shí)發(fā)生變化，恕不先行通知。■