ATLab開(kāi)發(fā)成功電阻式多點(diǎn)觸控技術(shù)

    ATLab Inc在4月 20日已公布研發(fā)出了Resistive Multi Touch(R-MT)技術(shù)。此產(chǎn)品是由HWIT(Han wool Information Tech.co.,Ltd)公司利用ATLab Inc.所提供的成熟的觸控技術(shù)而制作的與傳統(tǒng)產(chǎn)品區(qū)別化的ITO模組。此產(chǎn)品有電阻式觸摸屏的低價(jià)優(yōu)勢(shì)且性能更超越Apple iPhone。

    現(xiàn)今，多點(diǎn)觸控方案主要有光電式, 電容式與電阻式。其中光電式單點(diǎn)觸摸(Optical single touch)已經(jīng)以TIR (Total Internal Reflection)模式商業(yè)化，而光電式多點(diǎn)觸控已由 New York University 開(kāi)發(fā)成功，現(xiàn)已應(yīng)用在Microsoft的Tablet PC上。電阻式單點(diǎn)觸控技術(shù)也已廣泛地應(yīng)用在包括Samsung Haptic Phone的各類Smart Phone上,而多點(diǎn)觸控也已由Stantum公司開(kāi)發(fā)完成。電容式多點(diǎn)觸控則已由Apple成功應(yīng)用在iPhone里。

    ATLab 此次所開(kāi)發(fā)的電阻式的R-MT為100%數(shù)字電路，可達(dá)到快速的反應(yīng)速度，并且可以減少功率消耗。R-MT不僅可同時(shí)使用手指及觸控筆進(jìn)行韓文, 英文, 漢字等各種文字的手寫(xiě)輸入，并且可用手指放大或縮小圖片。相反電容式多點(diǎn)觸控(Capacitive Multi Touch: C-MT) 只能用手指輸入簡(jiǎn)單的英文字體。R-MT在制作成本方面比C-MT廉價(jià)，且已有3項(xiàng)相關(guān)專利。(KRAP10-2008-0127410, KRAP10-2009-0014944, KRAP10-2009-0028199)

    此R-MT產(chǎn)品還結(jié)合了HWIT的最新技術(shù)，大幅簡(jiǎn)化了制作過(guò)程，并用UV Ink與嵌入ITO的Poly Carbonate取代了以往使用光學(xué)薄膜與2張ITO film的方式。使用此技術(shù)所制作的產(chǎn)品，可大幅減少制作成本，提高產(chǎn)品制作速度，并且還可以提高良率。應(yīng)用此方式可減少10~15%成本支出。

    ATLab Inc還研發(fā)出了將電阻式與電容式的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合的R+C觸控技術(shù)。另外，ATLab今后更打算為各種客戶的不同需求提供ASIC Solution，并為客戶制作出刻制化的產(chǎn)品。■