飛兆半導體P溝道MOSFET提供業(yè)界最低RDS(ON)

　　日前，飛兆半導體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機、上網本、醫(yī)療和其它便攜式應用的設計人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠實現更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統(tǒng)塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導損耗特性。FDZ197PZ具有比其它的同級MOSFET器件更強大的靜電放電(ESD)保護功能(4kV)，能夠保護器件避免可能導致應用失效的ESD事件之應力影響。

　　P溝道MOSFET器件FDZ197PZ采用飛兆半導體性能先進的PowerTrench MOSFET工藝技術制造，可以達到更低的RDS (ON) 、更高的負載電流和更小的封裝尺寸。這款WL-CSP 封裝備有6 x 300µm無鉛焊球，以用于電路板連接，提供了比其它的WL-CSP引腳輸出更出色的電氣性能和熱阻。其安裝時封裝高度 
僅為0.65mm，為薄型產品設計提供了便利。

　　FDZ197PZ 是飛兆半導體全面的先進MOSFET產品系列的一部分，能夠滿足業(yè)界對緊湊、低側高、高性能MOSFET的需求，適用于充電、負載開關、DC-DC轉換和升壓應用。■