英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起。基于同樣的技術(shù)平臺，C6器件針對易用性進行了優(yōu)化，而E6器件則旨在提供最高效率。
CoolMOS™ C6/E6是來自英飛凌的第六代市場領(lǐng)先的高壓超級結(jié)功率MOSFET。全新的650V CoolMOS™ C6/E6器件具備快速、可控的開關(guān)性能，適用于效率和功率密度是關(guān)鍵要求的應(yīng)用。650V CoolMOS™ C6/E6器件易于應(yīng)用，是各種高能效開關(guān)產(chǎn)品的理想之選，例如筆記本電腦適配器、太陽能逆變器和其他需要額外擊穿電壓裕量的開關(guān)電源（SMPS）。
英飛凌 HVMOS功率分立式器件產(chǎn)品經(jīng)理Jan-Willem Reynaerts指出：“全新的650V C6/E6產(chǎn)品系列是英飛凌早前推出的CoolMOS™ 600V C6/E6產(chǎn)品系列的有益補充，確保那些需要650V擊穿電壓的電源產(chǎn)品能享受我們第六代CoolMOS™ 技術(shù)的各種優(yōu)勢。從這個意義上講，CoolMOS™ C6/E6使我們的客戶能夠從大獲成功的C3系列順利實現(xiàn)更新?lián)Q代。”
相對于CoolMOS™ C3 650V系列，全新650V CoolMOS™ C6/E6 器件輸出電容（Eoss）的儲電量降幅高達(dá)20%，而C6/E6 器件經(jīng)過改進的體二極管具備更高的硬換相耐受性，并可使反向恢復(fù)電荷降低約25%。得益于調(diào)諧柵極電阻的平衡設(shè)計，C6/E6 器件的開關(guān)行為能夠避免過高的電壓和電流變化率。■
來源：英飛凌科技
http:www.mangadaku.com/news/2010-7/201072145210.html
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