半導(dǎo)體市場(chǎng)進(jìn)入“黃金期” 未來(lái)仍將增長(zhǎng)

    隨著經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇，半導(dǎo)體行業(yè)慢慢進(jìn)入了“黃金期”，全球各主要經(jīng)濟(jì)體的半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量都屢創(chuàng)新高，進(jìn)入3季度以后，需求依然非常強(qiáng)勁，出貨量仍在高點(diǎn)。 

    過(guò)去幾年，中國(guó)功率器件市場(chǎng)一直保持增長(zhǎng)，中國(guó)已經(jīng)成為全球最大的功率器件市場(chǎng)，隨著中國(guó)工業(yè)化的深入以及經(jīng)濟(jì)持續(xù)發(fā)展，功率器件在未來(lái)幾年仍將保持增長(zhǎng)。而處在增長(zhǎng)期的IGBT作為第三代功率器件，由于其開(kāi)關(guān)快、損耗低、通態(tài)電流較大等諸多優(yōu)點(diǎn)，將在未來(lái)幾年保持高速的增長(zhǎng)。 

    處在增長(zhǎng)期的 MOSFET 和 IGBT 則市場(chǎng)上長(zhǎng)期由外資廠商占據(jù)，由于MOSFET的前端生產(chǎn)工藝同IGBT類(lèi)似，在國(guó)內(nèi)許多廠商做成功生產(chǎn)出MOSFET系列產(chǎn)品之后將可以轉(zhuǎn)而試生產(chǎn)IGBT，目前，中環(huán)股份、華微電子、士蘭微等都將量產(chǎn)出貨，而東光微電也有可能盡快做出IGBT樣品。 

    由于未來(lái)幾年工業(yè)化持續(xù)深入，IGBT 最大的應(yīng)用領(lǐng)域工業(yè)控制領(lǐng)域?qū)⒈３殖掷m(xù)的較高速度增長(zhǎng)；同時(shí)，由于電磁爐、微波爐、變頻家電以及數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品的快速發(fā)展，消費(fèi)電子已經(jīng)成為IGBT的第二大應(yīng)用領(lǐng)域，在產(chǎn)品數(shù)量上甚至已經(jīng)超過(guò)了工控領(lǐng)域IGBT數(shù)量，但是價(jià)格相對(duì)較低，所以市場(chǎng)規(guī)模低于工控領(lǐng)域；值得注意的是，由于變頻家電在整個(gè)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的滲透率還比較低，所以還有巨大的發(fā)展空間；在汽車(chē)電子方面，IGBT已經(jīng)全面替代達(dá)林頓管成為點(diǎn)火裝臵的首選器件，而IGBT也將隨著汽車(chē)在國(guó)內(nèi)的發(fā)展保持較高速度的增長(zhǎng)；此外，作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，IGBT 在電力傳送、列車(chē)牽引、太陽(yáng)能及風(fēng)能發(fā)電以及新能源汽車(chē)方面的應(yīng)用將明顯受益于國(guó)家的智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)及新能源建設(shè)等宏觀政策。此外，由于 IGBT 本身的技術(shù)不斷進(jìn)步以及各國(guó)對(duì)能源問(wèn)題的重視，IGBT 將在中高壓大電流領(lǐng)域替代部分的SCR和GTO產(chǎn)品。■