新SKiN技術(shù)使電流密度倍增
近期，賽米控開(kāi)發(fā)出新的功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)，摒棄了接合線(xiàn)、焊接和導(dǎo)熱涂層。新的SKiN技術(shù)采用撓性箔片和燒結(jié)連接，而非綁定線(xiàn)、焊接和導(dǎo)熱涂層。與采用標(biāo)準(zhǔn)綁定線(xiàn)連接技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的1.5A/cm2電流密度相比，新技術(shù)的電流密度實(shí)現(xiàn)了倍增，達(dá)到3A/cm2。因此，該轉(zhuǎn)換器體積減少了35％。這種可靠且節(jié)省空間的技術(shù)是汽車(chē)和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用的最佳解決方案。
有了SKiN技術(shù)，現(xiàn)在有可能將一個(gè)3MW的風(fēng)力發(fā)電轉(zhuǎn)換器放進(jìn)一個(gè)開(kāi)關(guān)柜中。另一個(gè)例子是用于混合動(dòng)力汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)的90kW轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器的體積比當(dāng)今市場(chǎng)上最小的轉(zhuǎn)換器還小35％。
采用撓性箔片和燒結(jié)連接的SKiN技術(shù)
新款MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊
近期，賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊，該模塊目前也可提供三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比，新模塊擁有4.9 A/cm²的額定電流，每單位面積的額定電流最大，并且每個(gè)模塊一個(gè)相位橋臂，有利于開(kāi)發(fā)輸出功率高達(dá)85kVA的緊湊型逆變器。MiniSKiiP的特點(diǎn)是速度快、便利的單螺絲裝配，因此優(yōu)化了三電平太陽(yáng)能逆變器和UPS系統(tǒng)的生產(chǎn)效率。
在世界各地，超過(guò)1500萬(wàn)個(gè)MiniSKiiP模塊被用在驅(qū)動(dòng)器和變頻器中。新的三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)延續(xù)了該模塊平臺(tái)的成功，從而提高了電氣效率，使得電源轉(zhuǎn)換器效率更高。賽米控三電平產(chǎn)品的額定電流范圍涵蓋20A至600A。
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