發(fā)改委實(shí)施電子器件產(chǎn)業(yè)化專(zhuān)項(xiàng) 符合企業(yè)可申請(qǐng)國(guó)家補(bǔ)貼

    據(jù)了解，為推動(dòng)節(jié)能降耗，促進(jìn)電力電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國(guó)家發(fā)改委等有關(guān)部門(mén)將對(duì)安排補(bǔ)貼資金支持新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化。

    隨著我國(guó)智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)、新能源汽車(chē)以及節(jié)能家電等市場(chǎng)的發(fā)展，對(duì)5英寸及6英寸晶閘管、IGCT（集成門(mén)極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）的需求量巨大。

    從2009年開(kāi)始，我國(guó)IGBT市場(chǎng)為53億元左右，而未來(lái)幾年隨著節(jié)能減排的推進(jìn)，IGBT市場(chǎng)規(guī)模將年增20%-30%。

    但是，由于我國(guó)只有少數(shù)小功率IGBT的封裝線，還不具備研發(fā)、制造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力。因此目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)所需的高端電力電子器件主要依賴(lài)進(jìn)口，IGBT供應(yīng)主要控制在英飛凌、三菱、ABB、富士等外資巨頭手中，技術(shù)上長(zhǎng)期受制于人。

    對(duì)此，國(guó)家發(fā)改委明確表示，2010年將支持金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）、IGCT、IGBT、超快恢復(fù)二極管（FRD）等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的產(chǎn)業(yè)化。

    據(jù)悉，國(guó)家發(fā)改委將組織實(shí)施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專(zhuān)項(xiàng)，鼓勵(lì)符合條件的企業(yè)申請(qǐng)國(guó)家補(bǔ)貼資金支持。

    國(guó)家補(bǔ)貼資金主要用于項(xiàng)目的研究開(kāi)發(fā)、購(gòu)置研究開(kāi)發(fā)及工程化所需的儀器設(shè)備、改善工藝設(shè)備和測(cè)試條件、建設(shè)產(chǎn)業(yè)化或工程化驗(yàn)證成套裝置和試驗(yàn)裝置、建設(shè)必要的配套基礎(chǔ)設(shè)施、購(gòu)置必要的技術(shù)、軟件等。<