植入式醫(yī)療應(yīng)用的功率MOSFET系列新器件

    日前，Vishay 宣布將為業(yè)內(nèi)首個(gè)用于植入式醫(yī)療應(yīng)用的功率MOSFET系列增添兩款新器件 --- SMMA511DJ 和 SMMB912DK。這些MOSFET采用強(qiáng)化的工藝流程制造，對(duì)制造工藝進(jìn)行了嚴(yán)格控制。

    該器件是一款采用PowerPAK® SC-70 (SMMA511DJ)封裝的N溝道和P溝道12V MOSFET，及一款采用PowerPAK SC75 (SMMB912DK)封裝的20V雙N溝道MOSFET。通過(guò)對(duì)每個(gè)批次的產(chǎn)品施加強(qiáng)化的質(zhì)量控制閥：統(tǒng)計(jì)箱限制(SBL)、良品率限制(SYL)，對(duì)晶圓和器件封裝進(jìn)行部件平均測(cè)試(PAT)控制，以及對(duì)所有批次的晶圓進(jìn)行一致可靠性測(cè)試，確保新MOSFET獲得區(qū)別于商用器件的高質(zhì)量和高可靠性。嚴(yán)格的SMM醫(yī)療MOSFET工藝流程還包括0.04%的合格質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)(AQL)。

    新MOSFET的應(yīng)用將包括送藥系統(tǒng)、除顫器、起搏器、助聽(tīng)器和其他植入式設(shè)備中的負(fù)載切換。器件的小封裝尺寸(SMMA511DJ為2mmx2mm，SMMB912DK為1.6mmx1.6mm)將有助于節(jié)省小型醫(yī)療設(shè)備中的空間，同時(shí)其低至0.4Ω的超低導(dǎo)通電阻能夠降低傳導(dǎo)損耗，從而延長(zhǎng)電池壽命。

    不斷擴(kuò)大的Vishay Siliconix SMM醫(yī)療MOSFET系列包括采用各種封裝尺寸的N溝道、P溝道，以及N溝道和P溝道成對(duì)配置的器件。<