三菱電機攜新MPD系列IGBT模塊亮相PCIM 亞洲展

    三菱電機最新開發(fā)的新MPD系列IGBT模塊，將在6月19至21日于上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展 2012（展位號：301）中亮相，新MPD系列非常適合水冷散熱設(shè)計，是一款散熱性能好、可靠性強的大電流功率模塊。

    新MPD系列IGBT模塊外型緊湊，采用新型無焊接AI基板，提供更高的溫度循環(huán)能力。針對大電流專用的內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用專門的封裝，內(nèi)部封裝電感低。采用低損耗的CSTBTTM硅片技術(shù)制成的第6代IGBT模塊，享有更寬的安全工作區(qū)，杰出的短路魯棒性，并擁有最佳的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能。新MPD適合于大電機驅(qū)動、分散式電力發(fā)電（如風力發(fā)電）及大功率UPS等場合。

    此外，新MPD系列IGBT模塊分1200V及1700V兩種額定電壓，其中CM2500DY-24S的額定電流高達2500A。其硅片最高結(jié)溫可達175°C，硅片運行溫度最高可達150 °C。為了提高散熱效率，新MPD專為水冷散熱系統(tǒng)設(shè)計，從而提高產(chǎn)品的性能。其多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現(xiàn)更可靠的長期電氣連接，交流和直流主端子分離，便于直流母排連接。

新MPD 照片

    三菱電機機電（上海）有限公司副總經(jīng)理兼半導體事業(yè)部部長谷口豐聰先生說：“由于市場對IGBT模塊的散熱功能十分重視，三菱電機推出的新MPD系列IGBT，非常適合水冷散熱，更能切合市場需求�！�

    現(xiàn)在，半導體功率器件都是采用硅材料，業(yè)內(nèi)人士認為硅材料的節(jié)能能力已經(jīng)接近極限。目前，人們把注意力放到開發(fā)碳化硅材料。碳化硅由于有著優(yōu)良的物理和電氣特性，可以期待在電力變換容量、低耗等方面大大超越硅材料。

    三菱電機在2010年在世界上首先開發(fā)成功完全采用碳化硅、搭載驅(qū)動電路和保護電路的全碳化硅IPM。和采用硅材料的IPM相比，電力消耗減少70%、器件體積減少50%。另外，在世界上首次將搭載碳化硅二極管的功率器件用于家用空調(diào)，并使之商品化。

    在這次展會中，三菱電機同時展出多個系列的產(chǎn)品，包括汽車用的J系EV-IPM和EV T-PM模塊； 工業(yè)和變頻家電用的DIPIPMTM（雙列直插式智能功率模塊）等等，旨在向中國市場提供更低功耗、更低成本和更高穩(wěn)定性的產(chǎn)品和技術(shù)。<