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美研究人員開發(fā)新技術 助力LED光效提高57%

2014/9/26 10:56:44   電源在線網
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    據(jù)外媒報道,美國普林斯頓大學的研究人員已經開發(fā)出一種新方法,可有效提高LED的亮度,光效以及清晰度。

    以電氣工程學教授Stephen Chou為首的研究團隊,利用納米技術開發(fā)出一種新系統(tǒng)PlaCSH。利用該系統(tǒng),OLED的亮度及光效提高了57%,LED顯示屏的畫質清晰度則能提高400%。研究人員表示,他們的方法應該對LED同樣奏效。此研究結果已于8月19日在《先進功能材料》網絡版發(fā)表。

    Stephen表示,目前LED面臨的最主要問題是如何減少被困于LED結構內部的光線。盡管LED以高光效著稱,但事實上,LED發(fā)射出的光線只占到其產生光線的2%-4%。而被困于結構內的光線不僅會使LED變暗、光效降低,更會使LED“短命”,因為被困于LED內的光會不斷發(fā)熱,大大減少LED的使用壽命。

    Stephen說道:“在制造LED過程中最為重要的就是光萃取率。”工程師們都在試圖克服這一難題,通過添加金屬反光罩、透鏡或者其他組件來提高LED的光萃取率。對于OLED來說,這些方法確實可行,光萃取率可提高38%,但是這些光萃取技術會使顯示器反光,從而降低對比度,使圖像看起來較模糊。于是,工程師們在顯示器里添加吸光材料,但Stephen認為這些材料同時會吸收LED發(fā)射的光線,從而導致LED的亮度和光效減半。

    為此,普林斯頓大學的研究人員利用納米技術開發(fā)出新系統(tǒng)PlaCSH,以期提高LED的亮度和光效。上圖展示了在傳統(tǒng)LED內部,光線是如何被困住的;以及在新系統(tǒng)中,PlaCSH又是如何將LED光線引導出來。研究人員表示,PlaCSH LED的光萃取率為60%,比傳統(tǒng)LED整整高出57%。

    PlaCSH背后的物理學原理很復雜,但是它的結構卻很簡單。在PlaCSH中,一層約100納米厚的發(fā)光材料被放置于一個金屬腔中,這個腔一面是金屬薄膜,另一面則是15納米厚的金屬網,金屬網由20納米寬的金屬絲組成,每個網的中心距離為200納米。Stephen表示,PlaCSH的價格相當便宜,因為它由納米壓印制成,就如同印刷機生產報紙一樣簡單。

    另外,普林斯頓大學已經就“采用PlaCSH系統(tǒng)的OLED和LED”的相關應用提交了專利申請。<

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  來源:互聯(lián)網
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