安森美半導(dǎo)體推出新的電源模塊，為太陽(yáng)能和工業(yè)電源應(yīng)用 提供高能效、省空間的方案

——新的功率集成模塊將在Electronica展展出，配以最新的智能功率模塊、MOSFET、IGBT和集成的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，用于電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)控

　　2018年11月8日—推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，推出了新的電源模塊，在高度集成和緊湊的封裝中提供極佳能效、可靠性和性能，增添至公司已然強(qiáng)固的電源半導(dǎo)體器件陣容。

　　太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS)逆變級(jí)和工業(yè)變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)等應(yīng)用中的功率級(jí)通常由分立的IGBT/MOSFET集成專用的驅(qū)動(dòng)器和額外的分立器件構(gòu)成。安森美半導(dǎo)體新的NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG功率集成模塊(PIM)提供緊湊、高度集成的方案，采用易于貼裝的封裝，節(jié)省空間和降低成本，極大地減輕設(shè)計(jì)人員的挑戰(zhàn)。

　 這些器件采用Q1和Q2封裝，用于30KW和50KW逆變器，集成場(chǎng)截止溝槽IGBT和快速恢復(fù)二極管，提供更低的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，并使設(shè)計(jì)人員能夠在低VCE(SAT)和低EON/EOFF損耗之間折衷，以充分優(yōu)化電路性能。直接鍵合銅(DBC)基底支持大電流，最大限度地降低寄生電感的影響，令設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)高的開(kāi)關(guān)速度，以及以12.7mm的爬電距離提供3000Vrms的隔離電壓。

　　此外，安森美半導(dǎo)體還推出了新的、充分優(yōu)化的、超緊湊的智能功率級(jí)(SPS)多芯片模塊FDMF3170，用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、人工智能加速器和電信設(shè)備中的DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器。它集成兩個(gè)基于安森美半導(dǎo)體PowerTrench®技術(shù)的高性能功率MOSFET，和一個(gè)具有高精度電流傳感器的智能驅(qū)動(dòng)器以實(shí)現(xiàn)最佳的處理器性能。

　　在Electronica展會(huì)的電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制技術(shù)演示

　　這兩個(gè)新的電源模塊將在Electronica展會(huì)期間在安森美半導(dǎo)體展臺(tái)演示，突顯基于半導(dǎo)體的高能效方案對(duì)于開(kāi)發(fā)成功的電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制(PCMC)設(shè)計(jì)至關(guān)重要。展臺(tái)演示將重點(diǎn)展現(xiàn)安森美半導(dǎo)體的方案在工業(yè)電源、太陽(yáng)能和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器開(kāi)創(chuàng)了領(lǐng)先地位，并將包括一個(gè)機(jī)器人展示以及太陽(yáng)能和電池儲(chǔ)能裝置。

　　安森美半導(dǎo)體提供最廣泛的電源半導(dǎo)體器件陣容，采用創(chuàng)新的封裝格式，支持全球邁向更清潔、高可靠性和具性價(jià)比的能源設(shè)計(jì)。該陣容包括基于先進(jìn)寬禁帶(WBG)材料的器件、用于所有電機(jī)類型的MOSFET、IGBT、PIM和IPM以及全集成的驅(qū)動(dòng)器。這些器件一起顯著提高現(xiàn)代應(yīng)用所需的高能效、可靠、緊湊和低成本的電源方案，持續(xù)推動(dòng)能源革命。