2018年12月24日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600 V 70 mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級產(chǎn)品。LMG3410R070具有超低的輸入和輸出電容,支持高功率密度電動機(jī)應(yīng)用的新要求,適合的應(yīng)用包括工業(yè)級和消費(fèi)級電源。此款高性能GaN功率級產(chǎn)品支持的電流、溫度、電壓和開關(guān)頻率比硅晶體管更高,同時還可減少高達(dá)80%的開關(guān)損耗。
貿(mào)澤電子供應(yīng)的TI LMG3410R070 GaN功率級產(chǎn)品集成有柵極驅(qū)動器和穩(wěn)定可靠的保護(hù)功能,可提供比硅MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 更出色的性能。該器件具有零共源極電感、25至100 V/ns可由用戶調(diào)整的壓擺率以及適合兆赫級作業(yè)的20 ns傳播延遲。這款穩(wěn)定可靠的IC提供過電流保護(hù),支持超過150 V/ns壓擺率的抗擾性、過熱保護(hù)以及瞬態(tài)過電壓抗擾性,且所有供電軌皆具備過電壓鎖定保護(hù)功能。LMG3410R070功率級產(chǎn)品采用尺寸小巧的8 mm × 8 mm QFN封裝,無需外部保護(hù)元件,有助于簡化設(shè)計(jì)和布局流程。
功能強(qiáng)大的LMG3410R070很適合搭配KEMET Electronics的KC-LINK表面貼裝電容器使用。KC-LINK電容器經(jīng)過特別設(shè)計(jì),具有極低的有效串聯(lián)電阻和熱阻,可幫助裝置承受高頻率、高電壓DC鏈路應(yīng)用的應(yīng)力,從而滿足TI LMG3410R070 IC 等快速開關(guān)半導(dǎo)體的需求。
TI LMG3410R070功率級產(chǎn)品提供優(yōu)異的功率密度, 有助于實(shí)現(xiàn)totem-pole PFC之類的高效拓?fù),幫助電源縮小高達(dá)50%的尺寸。LMG3410R070 IC適合的應(yīng)用包括多級轉(zhuǎn)換器、太陽能逆變器、高電壓電池充電器和不間斷電源。
有關(guān)如何將TI LMG3410R070 GaN功率級產(chǎn)品與KEMET KC-LINK電容器搭配以實(shí)現(xiàn)GaN電源解決方案效率最大化,請?jiān)L問eng.info.mouser.com/kemet-ti-gan-solutions。
要進(jìn)一步了解TI LMG3410R070功率級產(chǎn)品,請?jiān)L問www.mouser.com/ti-lmg3410r070-gan-power-stage。
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