2019年2月21日–專注于引入新品的全球半導(dǎo)體與電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子(MouserElectronics)即日起備貨STMicroelectronics(ST)的MDmeshM6系列超結(jié)晶體管。MDmeshM6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計(jì)，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)動器、電信和服務(wù)器電源以及太陽能微型逆變器等設(shè)備的功率密度。
貿(mào)澤電子供應(yīng)的STMDmeshM6MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列最低18奈庫倫(nC)的柵極電荷(Qg)，以及經(jīng)優(yōu)化的電容電壓曲線可幫助功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的新拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)高開關(guān)效率。ST的M6超結(jié)技術(shù)有助于將RDS(ON)降低到0.036歐姆，從而提高效率。
提供8A到72A的額定電流，以及600V到700V的擊穿電壓，MOSFET針對軟開關(guān)技術(shù)優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節(jié)能應(yīng)用中的LLC諧振轉(zhuǎn)換器和升壓PFC轉(zhuǎn)換器。STMDmeshM6系列MOSFET提供多種封裝選項(xiàng)，包括無引線TO-LL封裝解決方案。與其他封裝相比，TO-LL封裝的面積降低30%，同時實(shí)現(xiàn)高效熱管理。
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