Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的30V和40V P溝道MOSFET，有效提高板級可靠性

汽車級器件導通電阻低至4.4 m，采用業內超薄鷗翼引線結構5 mm x 6 mm緊湊型PowerPAK® SO-8L封裝

　　賓夕法尼亞、MALVERN—2019年3月7日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款30 V和40 V汽車級p溝道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鷗翼引線結構PowerPAK®SO-8L封裝，有效提升板級可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通過AEC-Q101認證，占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上，節省PCB空間并降低成本，同時導通電阻低于任何鷗翼引線結構5 mm x 6 mm封裝MOSFET。

　　由于需要很高功率，12 V汽車系統馬達驅動和主電源要求MOSFET在各種應用中具有極低的導通電阻，如電池反向極性保護和高邊開關。Vishay Siliconix-30 V SQJ407EP和-40 V SQJ409EP在10 V條件下，導通電阻分別為4.4 m和7.0 m，完全可以滿足這種要求。此外，作為p溝道MOSFET，兩款器件是理想的負載開關，不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。

　　日前發布的MOSFET工作溫度可達+175 C，同時鷗翼引線結構可緩解溫度循環過程中、主板彎曲、振動和意外跌落產生的機械應力，與剛性QFN封裝相比，具有更加優異的板級可靠性。鷗翼引線結構還有助于自動光學檢測(AOI)過程獲得更加一致可靠的結果。

　　器件采用無鉛(Pb)封裝、無鹵素、符合RoHS標準，經過100%Rg和UIS測試。

　　SQJ407EP和SQJ409EP現可提供樣品并已實現量產。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、通信、國防、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站www.vishay.com。

　　TrenchFET和PowerPAK是Siliconix公司的注冊商標