東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第3代SiC MOSFET

　　東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。

　　

　　新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約20%[5]，同時降低導通電阻和開關損耗。因此，新產品有助于提高設備效率。

　　東芝將進一步壯大其功率器件產品線，強化生產設施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實現(xiàn)碳中和經(jīng)濟。

　　應用：

　　-開關電源（服務器、數(shù)據(jù)中心、通信設備等）

　　-電動汽車充電站

　　-光伏變頻器

　　-不間斷電源（UPS）

　　特性：

　　-單位面積導通電阻低（RDS(ON)A）

　　-低漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）

　　-低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）VGS＝-5V

　　主要規(guī)格：

　　（除非另有說明，Ta＝25℃）

　　注：

　　[1]通過采用為第二代SiC MOSFET開發(fā)的內置肖特基勢壘二極管的架構，東芝開發(fā)出一種可降低單位面積導通電阻（RDS(ON)A），同時降低JFET區(qū)域反饋電容的器件架構。

　　[2]MOSFET：金屬氧化物半導體場效應晶體管。

　　[3]當?shù)诙�代SiC MOSFET的RDS(ON)A被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。

　　[4]當?shù)诙�代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。

　　[5]新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比較。東芝調研。