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Vishay推出采用熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-75封裝的N溝道功率MOSFET

2009/8/17 9:48:23   電源在線網(wǎng)
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新產(chǎn)品的站位面積為1.6mm x 1.6mm,包括業(yè)界首款30V器件和業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的器件


 
    日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-75封裝、提供8V~30V VDS的功率MOSFET,擴(kuò)大了N溝道TrenchFET®家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件,以及具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的20V MOSFET。
 
    已經(jīng)發(fā)布的Siliconix SiB414DK是首款8V單N溝道功率MOSFET,也采用PowerPAK SC-75占位的封裝,30V SiB408DK和20V SiB412DK的加入進(jìn)一步壯大了該產(chǎn)品系列。SiB408DK在10V時(shí)的導(dǎo)通電阻只有40mΩ,SiB412DK在4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻低至34mΩ,比最接近的競爭器件低21%。
 
    PowerPAK SC-75封裝的尺寸為1.6mmx16.mmx0.8mm,比2mmx2mm的器件小72%,比廣泛使用的TSOP-6器件小72%,同時(shí)具有近似的導(dǎo)通電阻。而對設(shè)計(jì)者來說,更小尺寸的PowerPAK SC-75能夠在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間、降低功耗,從而在滿足消費(fèi)者對電池運(yùn)行時(shí)間要求的前提下,提供更多的功能。
 
    N溝道PowerPAK SC-75功率MOSFET的典型應(yīng)用包括負(fù)載、功放和便攜式電子產(chǎn)品中的電池開關(guān)。與常用的3mm x 3mm封裝相比,該器件可節(jié)約在1/8磚或1/16磚電源模塊中的所占空間。SiB408DK還可用做筆記本電腦和上網(wǎng)本中的負(fù)載開關(guān)。
 
    這些器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范和RoHS指令2002/95/EC。MOSFET百分之百通過了Rg和UIS測試。
 
器件規(guī)格表

型號

SiB414DK

SiB412DK

SiB408DK

VDS

8 V

20 V

30 V

VGS

± 5 V

± 8 V

± 20 V

RDS(ON) @ 10 V

40 mΩ

RDS(ON) @ 4.5 V

26 mΩ

34 mΩ

50 mΩ

RDS(ON) @ 2.5 V

30 mΩ

40 mΩ

RDS(ON) @ 1.8 V

37 mΩ

54 mΩ

RDS(ON) @ 1.5 V

52 mΩ

RDS(ON) @ 1.2 V

89 mΩ

  
 
    新款N溝道PowerPAK SC-75功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。

VISHAY SILICONIX簡介
    Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計(jì)算機(jī)、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應(yīng)商。Vishay Siliconix的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑,包括在業(yè)內(nèi)建成第一個(gè)基于槽硅工藝(TrenchFET®)的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個(gè)小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。
    創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù),例如被設(shè)計(jì)用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負(fù)荷切換的應(yīng)用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù),以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®,MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外,Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復(fù)用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應(yīng)用在蜂窩電話、筆記本計(jì)算機(jī)、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件,而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路。
    Siliconix創(chuàng)建于1962年,在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。

VISHAY簡介
    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器)的最大制造商之一,這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息,敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

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  來源:Vishay
本文鏈接:Vishay推出采用熱增強(qiáng)PowerP
http:www.mangadaku.com/news/2009-8/200981794823.html
文章標(biāo)簽: 電源在線/Vishay/功率MOSFE
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