國家半導體發(fā)布電源電路所需的封裝集成電感器的電源模塊

    近日，美國國家半導體全新推出將電源電路所需的穩(wěn)壓器IC、MOSFET及電感器等大部分部件集成在一個封裝內(nèi)的電源模塊“SIMPLE SWITCHER Power Module”。此次的研發(fā)減少了外置電感器所帶來的不便，設置了內(nèi)置電感器，為電源電路的設計解除了一定的困擾。這次新產(chǎn)品的研發(fā)更適合應用于廣電視頻設備、醫(yī)療設備、通信設備及產(chǎn)業(yè)設備等配電的FPGA、微處理器以及為 DSP供電的負載點(point of load，PoL)轉(zhuǎn)換器等。

    SIMPLE SWITCHER Power Module與其他公司封裝內(nèi)含有電感器的產(chǎn)品相比，電力轉(zhuǎn)換效率高出3至5百分點，運行時封裝的表面溫度只有10℃左右。據(jù)介紹，此次采用了導通電阻較低的MOSFET，且優(yōu)化了開關(guān)電路，從而提高了電力轉(zhuǎn)換效率，散熱性方面，通過在封裝底面設置大面積銅散熱區(qū)域，將封裝的熱電阻 (θJA)降低到了20℃/W.內(nèi)置的電感器附帶屏蔽罩，而且采用可降低EMI的封裝技術(shù)，從而滿足了CISPR22 B類電磁波輻射標準的要求。其內(nèi)置的電感器系從其他公司采購，采用了標準技術(shù)，電源模塊的開關(guān)頻率為1MHz.

    以前，封裝內(nèi)含有電感器的電源模塊需要在封裝底面分別配置端子和散熱墊，而國家半導體此次將端子作為引線設置在封裝的側(cè)面，只在封裝底面配置了散熱墊。通過這種方法，排除了發(fā)生目視無法判別的焊錫橋接的可能性，實現(xiàn)了從封裝底面有效散熱。

    此次發(fā)布了輸入電壓范圍和最大輸出電流分別為6V～42V和3A的“LMZ14203”、4.5V～20V和3A的“LMZ12003” 和2.95V～5.5V和4A的“LMZ10504”3款產(chǎn)品。外形尺寸均為10.16mm×13.77mm(含端子部分)×厚4.57mm.目前已 開始供貨，批量購買500個時，LMZ14203的單價為9.50美元，LMZ12003為7.25美元，LMZ10504為7.10美元。

    除了上述3款已開始量產(chǎn)的產(chǎn)品之外，該公司還將在輸入電壓范圍為6V～42V和+4.5V～20V的產(chǎn)品中陸續(xù)供貨輸出電流為1A和2A的款式， 在輸入電壓范圍為2.95V～5.5V的產(chǎn)品中陸續(xù)供貨輸出電流為3A和5A的款式。封裝均與先行供貨的3款產(chǎn)品相同。另外，該公司還表示，今后在推出輸出電流更大的產(chǎn)品時，準備采用散熱特性更高的封裝�！�