三菱電機盛裝亮相PCIM 2010中國電力電子展覽會

    三菱電機盛裝亮相PCIM 2010中國電力電子展覽會。與其國際性、先驅(qū)性一致，三菱電機展臺設(shè)計也獨樹一幟 - 大方、氣勢，盡顯低碳、節(jié)能主題，因而也吸引大量專業(yè)觀眾駐足交流。 

    此次展覽會期間，三菱電機于6月1日下午、6月3日上午分別舉辦了新產(chǎn)品發(fā)布及最技術(shù)介紹活動，吸引了眾多觀眾參加。此次活動的主題為倡導(dǎo)低碳生活的三菱功率模塊。 

    作為電力電子業(yè)內(nèi)的先鋒，三菱電機也是PCIM研討會的最佳論文獎的贊助商。 

    三菱電機半導(dǎo)體產(chǎn)品包括三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)品，其中三菱功率模塊在電機控制、電源和白色家電的應(yīng)用中有助于您實現(xiàn)變頻、節(jié)能和環(huán)保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)品將為您在各種模擬/數(shù)字通訊、有線/無線通訊等應(yīng)用中提供解決方案。 

    此次展會期間，三菱電機推出的三款新型的HVIGBT模塊包括：3300V R系列、6500V R系列和4500VR系列，為軌道牽引和大功率工業(yè)驅(qū)動，帶來更高性能、超可靠、低損耗的技術(shù)。 

    三菱電機針對軌道牽引和大功率工業(yè)驅(qū)動的需要，特別設(shè)計了具有優(yōu)良性能的HVIGBT模塊，尤注重?fù)p耗低、額定電流大以及運行結(jié)溫范圍大的特性，同時具備良好的開關(guān)控制特性以降低電磁干擾（EMI）。本次推出的三款HVIGBT模塊完全符合這些要求，并已經(jīng)取得國際鐵路行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(IRIS) 認(rèn)證。 

    3300V R系列HVIGBT模塊采用LPT(Light Punch-Through)-HVIGBT硅片和軟恢復(fù)高壓二極管硅片的組合，在不影響模塊的短路魯棒性前提下，該新型模塊的飽和壓降與關(guān)斷損耗折衷特性得到了25%的改善。 

    新型二極管的使用減小了反向恢復(fù)電流，且軟反向恢復(fù)特性維持了現(xiàn)有二極管設(shè)計的短路魯棒性，并具有良好的EMI性能。新的硅片技術(shù)大大降低了模塊的功率損耗，提高了模塊的額定電流，最大額定電流可高達1500A，而過往產(chǎn)品的最大額定電流只有1200A。實驗證明，通過調(diào)節(jié)導(dǎo)通和關(guān)斷柵極電阻值可以在比較大范圍內(nèi)控制模塊的開關(guān)特性。 

    6500V R系列HVIGBT模塊，其絕緣耐壓高達10.2k V（1分鐘交流有效值）�；�板材料采用AlSiC，模塊的可靠性得到大大提高。一共有3種封裝形式，小型，中型和大型。6500V R系列 HVIGBT模塊的IGBT硅片具有漏電流小、功率損耗低、安全工作區(qū)（SOA）寬的特性，其二極管硅片具有軟反向恢復(fù)特性、功率損耗低和安全工作區(qū)（SOA）寬的特性，從而達至模塊的總的功率損耗低，可靠性高。 

    新的R系列HVIGBT模塊還推出4500V R系列，電流分別有1200A和800A。新的R系列HVIGBT模塊硅片的運行溫度上限由過去的125°C提高到150°C，模塊的儲存最低溫度從過去的-40°C降低到-50°C�！�