日前，據(jù)有關(guān)部門報告調(diào)查顯示，由于全球總體經(jīng)濟景氣不振，導(dǎo)致電子產(chǎn)品超額庫存和終端需求疲弱，使得半導(dǎo)體資本支出顯著下滑，2012年全球半導(dǎo)體資本支出預(yù)計為515.339億美元，較2011年的618.321億美元衰退16.7%。
報告中還同時指出，2012年中過后需求才會見到止跌回升，下一波成長預(yù)期會出現(xiàn)在2013年，屆時資本支出將增加18.4%，2014年才會再度改寫新高紀錄。
由于全球半導(dǎo)體廠均出現(xiàn)產(chǎn)能過剩壓力，半導(dǎo)體資本支出及設(shè)備支出的成長似乎是全面減速，晶圓代工廠持續(xù)進行28納米產(chǎn)能競賽的同時，對45納米至90納米技術(shù)的支出卻呈減緩趨勢，且前幾個制程世代的部份設(shè)備，仍可使用于28納米生產(chǎn)以增加產(chǎn)能利用率。此外，由于平板媒體產(chǎn)量的成長較預(yù)期為弱，節(jié)能存儲器廠的投資亦見疲軟。
預(yù)期此一支出減緩的趨勢，將由2011年延續(xù)到2012年上半年，至明年年中時，隨著PC市場回溫和消費者因經(jīng)濟趨穩(wěn)而恢復(fù)消費，供需將趨于平衡，DRAM和晶圓代工等產(chǎn)業(yè)將因而開始增加支出以因應(yīng)需求的成長。根據(jù)預(yù)估，2012年半導(dǎo)體新能源本支出總額將達515.339億美元，年減16.7%,2013年將成長18.4%至610.264億美元，2014年才會達到625.132億美元再創(chuàng)新高。
預(yù)期，今年半導(dǎo)體業(yè)設(shè)備支出均達435.2億美元，較去年增加7.1%,但2012年將下滑19.2%至351.685億美元，2013年因先進制程需求轉(zhuǎn)強，會成長21.6%至427.726億美元，但要等到2014年才會再創(chuàng)歷史新高。
在晶圓設(shè)備部份，由于今年第2季接單情況已不如預(yù)期強勁，且在芯片銷售減緩和、超額庫存去化等雙重壓力下，2011年下半年將加速下滑。預(yù)估，今年全球晶圓設(shè)備支出將較去年成長9.4%,但明年將衰退19.6%,而先進制程設(shè)備如浸潤式微影、蝕刻、雙重曝光等將持續(xù)成長，主要是受惠于半導(dǎo)體廠加速轉(zhuǎn)進28納米及20納米，至于類比和離散元件、電源管理等芯片需求龐大，亦會帶動8寸晶圓設(shè)備支出。<
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