日前，“2013電源管理技術(shù)研討會”成功舉辦，200多位技術(shù)研發(fā)工程師積極參與，同行業(yè)領(lǐng) 袖和技術(shù)專家圍繞綠色電源系統(tǒng)解決方案、電源設(shè)計軟件工具、電源電路保護、平板、手機散熱以及電源測試展開互動討論，共同探討技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)業(yè)前景。

    會上，飛兆半導(dǎo)體技術(shù)行銷部高級工程師閔江威先生發(fā)表精彩演講，詳細(xì)介紹了飛兆半導(dǎo)體綠色電源系統(tǒng)解決方案，包括分立式解決方案--高性能IGBT、超級結(jié)MOSFET和新型碳化硅晶體管解決方案，與會觀眾收獲頗多。

    在節(jié)能和綠色的大趨勢下、在各機構(gòu)和政府制定的規(guī)范推動下，電源和電子設(shè)備必須遵守強制性能效規(guī)范，以及智能便攜設(shè)備小型化多功能的發(fā)展趨勢，要求電源 與電源管理必須提高電源效率、降低待機功耗、改善功率因數(shù)、高功率密度、高可靠性、高集成度、小尺寸、智能化、安全和低成本。電源制造商、半導(dǎo)體制造商均 積極開發(fā)能夠提高效率的新型解決方案。

    飛兆半導(dǎo)體MOSFET技術(shù)開發(fā)工程師Jaegil Lee先生表示，由于增加了便攜式設(shè)備的使用，在目前的電力系統(tǒng)中，對于電信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè)(3G / LTE & LTE-A通訊網(wǎng)絡(luò))和云系統(tǒng)的各種需求正成為核心議題。因此，針對電信基礎(chǔ)建設(shè)和計算包括云系統(tǒng)，對于能夠滿足來自電源管理應(yīng)用各種要求的半導(dǎo)體產(chǎn)品和 電子產(chǎn)品需求也已增加。尤其在大中華區(qū)，華為(Huawei)、中興(ZTE)和聯(lián)想(Lenovo)專注于電信和計算電源業(yè)務(wù)。

    為了滿足此市場中對更高功率等級、效率、功率密度等要求，半導(dǎo)體供應(yīng)商正致力于為市場提供采用小型化封裝的高開關(guān)速度、大電流、低RDS(ON)的SJ/MV MOS， IGBT器件。

    而且，來自目前材料(例如，硅)的上述既有器件的局限性可以通過下一代寬帶隙半導(dǎo)體產(chǎn)品，比如SiC和GaN開關(guān)來克服，它們將會在不久的將來應(yīng)用于這個市場中。

    以高性能IGBT、MOSFET解決功率管理的挑戰(zhàn)

    功率管理的發(fā)展重心將逐漸集中在能效方面。飛兆半導(dǎo)體的高能效解決方案在應(yīng)對當(dāng)前功率管理挑戰(zhàn)方面扮演著關(guān)鍵的角色。飛兆半導(dǎo)體推出的場截止IGBT具 備高電流能力、低傳導(dǎo)損耗和低開關(guān)損耗、易于并聯(lián)運行的正溫度系數(shù)、最大結(jié)溫： Tj=175℃ 、良好的一致性、更大的SOA(安全工作區(qū))等優(yōu)勢，能夠在高頻應(yīng)用中滿足低能量損耗的要求。

    飛兆半導(dǎo)體MOSFET技術(shù)開發(fā)工程師 Jaegil Lee先生表示，我們相信飛兆的600V平面型場截止 (Field Stop Planar) IGBT是能夠用來滿足客戶需求的最好產(chǎn)品之一。對于高頻應(yīng)用中的低能量損耗要求，飛兆的600 V平面型場截止(Field Stop Planar) IGBT為客戶提供了解決方案。為繼續(xù)滿足客戶對于高功率密度的期望，并兼容各種市場應(yīng)用，飛兆在2012年推出了650 V溝槽型場截止(Field Stop Trench) IGBT。其目標(biāo)應(yīng)用為工作在中頻開關(guān)頻率上的不間斷電源(uninterruptable power supply，UPS)和電焊機應(yīng)用。650 V溝槽型場截止(Field Stop Trench) IGBT擁有非常嚴(yán)格的關(guān)鍵參數(shù)控制，并通過加固設(shè)計來來保證短路特性來滿足目標(biāo)應(yīng)用。

    飛兆650 V溝槽型場截止(Field Stop Trench) IGBT會繼續(xù)在高頻應(yīng)用中降低能量損耗和降低EMI等級等方面發(fā)展。

    超級結(jié)MOSFET

    飛兆半導(dǎo)體充分利用其高端工藝和前沿封裝技術(shù)，不斷推出高性能半導(dǎo)體產(chǎn)品，積極應(yīng)對功率管理挑戰(zhàn)，以優(yōu)化電源、便攜式、照明、電機、計算以及消費應(yīng)用產(chǎn) 品的能效。飛兆推出的超級結(jié)MOSFET，采用先進制造工藝降低EPI電阻，解決了HV MOSFET中RDS(ON)的主要影響因素。超級結(jié)MOSFET技術(shù)能夠有效隔離導(dǎo)電區(qū)域與電壓阻斷區(qū)域，在導(dǎo)通狀態(tài)下，重?fù)诫s外延區(qū)域可確保導(dǎo)通電阻 足夠低;在關(guān)斷狀態(tài)下，夾斷導(dǎo)電區(qū)域，充當(dāng)電壓持續(xù)層，可謂是突破硅限制的超級MOSFET。超級結(jié)MOSFET優(yōu)勢明顯，在較低的輸出電容(Eoss) 可獲得輕載條件下較高的效率;較高的體二極管耐用性和較小的反向恢復(fù)電荷(Qrr)能為諧振轉(zhuǎn)換器提供更可靠的系統(tǒng)。

    飛兆半導(dǎo)體 MOSFET技術(shù)開發(fā)工程師Jaegil Lee先生表示，在超級節(jié)(Super-junction)結(jié)構(gòu)中，通過增加N-epi摻雜濃度可以實現(xiàn)較低電阻而不犧牲擊穿電壓，因為在表面p- well下增加了p-pillar。這對于既有的平面MOSFET來說是不可能的，因為摻雜濃度的增加會降低擊穿電壓。

    飛兆的超級節(jié)產(chǎn)品(SuperFET® MOSFET， SupreMOS® MOSFET)采用控制良好的工藝來制造。因此，在保持穩(wěn)定的工藝、保持高性能和高品質(zhì)的同時獲得具有較低RDS(ON) 和導(dǎo)通狀態(tài)電阻的產(chǎn)品。

    SupreMOS MOSFET是第一個商業(yè)應(yīng)用的超級節(jié)產(chǎn)品之一，它使用了基于飛兆先進工藝成功推出的溝道技術(shù)。相比競爭產(chǎn)品，SuperFET MOSFET具有高的dv/dt強度。

    創(chuàng)新技術(shù)--高性能功率晶體管 SiC BJT

    為了實現(xiàn)更高的功率密度，滿足嚴(yán)格的能效規(guī)則和系統(tǒng)正常運行時間要求，工業(yè)和電力電子設(shè)計人員正在挑戰(zhàn)他們自己，以便在他們的設(shè)計中降低功率損耗并改進 可靠性。然而，這些在比如可再生能源、工業(yè)電機驅(qū)動、高密度電源、汽車和高溫工業(yè)鉆探等應(yīng)用設(shè)計中的努力會使他們的設(shè)計復(fù)雜化并導(dǎo)致整體系統(tǒng)成本更高。為 了幫助設(shè)計師滿足這些挑戰(zhàn)，在創(chuàng)新的高性能功率晶體管技術(shù)方面，隨著可理想適用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅(silicon carbide，SiC)技術(shù)解決方案的推出，飛兆半導(dǎo)體擴大了它的領(lǐng)導(dǎo)地位。

    通過在它的產(chǎn)品組合中推出基于SiC的產(chǎn)品，飛兆在創(chuàng)新 的、高性能功率晶體管技術(shù)方面加強了它的產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)力。在飛兆的SiC產(chǎn)品組合中，第一個推出的產(chǎn)品系列是先進的SiC雙極結(jié)型晶體管(bipolar junction transistors，BJT)，可提供高效、大電流密度、穩(wěn)健性、和高溫工作的能力。通過采用格外有效的晶體管，飛兆的SiC BJT實現(xiàn)了更高的開關(guān)頻率，因為其具有更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗(范圍從30 - 50%)，在相同的系統(tǒng)外形尺寸下提供了多達(dá)40%的更高輸出功率。

    這些穩(wěn)健的BJT使用了更小的電感、電容和散熱器，能夠降低總體系統(tǒng)成本達(dá)20%。由于具備更高效率和卓越的短路能力和反向偏壓安全工作區(qū)域，在優(yōu)化大功率變換應(yīng)用的電源管理中，這些行業(yè)領(lǐng)先的SiC BJT將起到至關(guān)重要的作用。<