意法半導體的先進的V系列600V溝柵式場截止型（trench-gate field-stop）IGBT 具有平順、無拖尾電流的關機特性，飽和電壓更是低達1.8V，最大工作結溫高達175°C，這些優點將有助于開發人員提高系統能效和開關頻率，并簡化散熱設計和電磁干擾(EMI) 設計。
通過消除IGBT固有的關斷拖尾電流特性，意法半導體的新器件提高了開關能效與最大開關頻率。新產品的裸片非常薄，這有助于提高開關和散熱性能。意法半導體獨有的優化的溝柵式（trench-gate）場截止型（field-stop）工藝降低了熱阻，最高結溫高達175°C，同時實現了對飽和電壓等參數的嚴格控制，允許多個IGBT安全并聯，提高電流密度和通態能效。
全新的IGBT非常穩定，具有很高的Dv/dt耐壓能力。與IGBT封裝在一起的超高速軟恢復（soft-recovery）二極管可最大限度降低導通能耗。針對成本更敏感的應用，意法半導體還推出了可無二極管的型號供選擇。
意法半導體的20A至80A V系列IGBT現已投產，采用TO-3P、TO-3PF、TO-220、TO-220FP、TO-247或D2PAK封裝。
關于意法半導體
意法半導體（STMicroelectronics；ST）是全球領先的半導體解決方案供應商，為客戶提供傳感器、功率器件、汽車產品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節能技術，到數字信任和數據安全，從醫療健身設備，到智能消費電子，從家電、汽車，到辦公設備，從工作到娛樂，意法半導體的微電子器件無所不在，在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技引領智能生活（life.augmented）的理念。
意法半導體2012年凈收入84.9 億美元。<
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