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Diodes芯片級雙向MOSFET節省空間 有效提高鋰電池容量

2015/2/2 15:37:41   電源在線網
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    Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4,提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護。DMN2023UCB4的低導通電阻可降低功耗,纖薄的芯片級封裝則使設計人員能夠利用省下來的空間來提高電池容量。新產品的目標終端市場包括智能手機、平板電腦、照相機、便攜式媒體播放器,以及對其尺寸丶重量和電池壽命都至關重要的同類型消費性產品。

Diodes芯片級雙向MOSFET節省空間 有效提高鋰電池容量

    DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ,旨在以最低的導通電阻來減低功耗。此外,其雙N通道共汲極配置特別適合一般使用低側電池開關的充電電路,從而滿足單電芯及雙電芯鋰電池的要求。至於要求高端連接的應用,Diodes公司也推出了DMP2100UCB9,提供雙P通道共源MOSFET設計。

    這款新一代雙向MOSFET憑藉這些功能,加上占位面積僅1.8mm x 1.8mm、厚度少於0.4mm的芯片級封裝,非常適合注重外形小巧的電池管理、負載開關及電池保護應用。其它功能還包括少於1V 的柵極閾值電壓,有助於全面提升通道在低電壓下工作的性能,以及防止靜電放電電壓超過2kV的柵極保護能力。<

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編輯:刀刀
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