近期， PCIM Asia 2016(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會) 在上海世博展覽館隆重舉行，三菱電機以“創新功率器件構建可持續未來”為主題， 攜帶八款新型功率器件參展，向公眾展示其在功率半導體市場上的非凡實力。
三菱電機今年展出的功率器件應用范圍跨越四大領域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業和新能源發電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。
變頻家電市場
在變頻家電應用方面，三菱電機這次在去年推介的SLIMDIP模塊的基礎上，開展出SLIMDIP-L和SLIMDIP-S兩款產品，SLIMDIP-L用于變頻洗衣機和變頻空調，而SLIMDIP-S用于變頻冰箱和變頻風機控制。
兩款SLIMDIP均采用RC-IGBT芯片，實現更高的集成度；封裝面積比超小型DIPIPMTM縮小達30%；內置自舉二極管和限流電阻；最大運行殼溫提升至115℃；并集成短路保護和欠壓保護，同時提供溫度模擬量輸出版本和過溫保護版本供選擇。
軌道牽引及電動汽車驅動市場
在PCIM 亞洲展2016上，三菱電機為軌道牽引和電力傳輸，以及電動汽車領域，帶來三款功率模塊，分別為X系列的單管及雙管HVIGBT模塊，適合牽引變流器及直流輸電應用；而J1系列汽車用IGBT模塊則適用于電動汽車驅動器，及高可靠性逆變器。
首次亮相展會的X系列雙管HVIGBT模塊，采用CSTBTTM 結構的第7代IGBT和RFC二極管，降低功率損耗；運用可降低內部電感的封裝技術，優化產品性能；使用兩種封裝(LV100/HV100)，實現兩種絕緣耐壓(6kV/10kV)，但兩者具有相同的外形尺寸。LV100封裝包括900A/1.7kV和450A/3.3kV；HV100封裝包括450A/3.3kV、330A/4.5kV和225A/6.5kV；可提高系統結構設計的靈活性，方便實現逆變器擴容。
至于X系列單管HVIGBT模塊，采用第7代IGBT和RFC Diode硅片技術，實現更低飽和壓降和開關損耗；使用LNFLR技術實現低熱阻； 允許最高運行結溫150℃；安全工作區(SOA)裕度大，續流恢復能力強； 封裝兼容傳統的H系列HVIGBT；標準產品包括1800A/3.3kV、1350A/4.5kV和900A/6.5kV；此外，還有業界規格最大，針對電力傳輸應用而開發的6500V/1000A單管HVIGBT。
J1系列汽車用IGBT模塊是專為電動汽車驅動器，及高可靠性逆變器設計，采用Pin-fin底板的六合一汽車用IGBT模塊。它使用第7代IGBT硅片技術，損耗更低；高可靠性的DLB(直接主端子綁定)技術；及基于硅片的溫度和電流檢測技術。J1系列提供A、B兩種封裝。A型封裝(小封裝)有300A/650V、600A/650V、400A/900V和300A/1200V；B型封裝(大封裝)有1000A/650V和600A/1200V，這兩種封裝可以滿足從小型電動汽車到大型電動公交車的應用要求。
針對J1系列新型汽車模塊，三菱電機將提供包括驅動電路、冷卻水套及薄膜電容的整體解決方案技術支持，以方便客戶快速應用該模塊實現汽車用逆變器的設計。
工業市場
針對工業應用市場，三菱電機展出其第7代IGBT模塊、整流逆變制動一體化智能功率模塊DIPIPM+,G1系列智能功率模塊(IPM)。
第7代IGBT模塊，可以應用在通用變頻器、伺服驅動器及不間斷電源。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片，降低損耗；具有650V、1200V和1700V三種電壓等級；涵蓋模塊電流75A至2500A；兼容現有市場主流產品封裝；提高產品熱循環壽命和功率循環壽命；采用預涂熱界面材料(PC-TIM)，與傳統硅脂相比，模塊與散熱器的接觸熱阻降低50%；NX封裝具有焊接方式和壓接方式兩種控制端子可供選擇。
整流逆變制動一體化模塊DIPIPM+，適合通用變頻器、伺服驅動器和商用空調壓縮機驅動。它完整地集成整流橋、逆變橋、制動單元以及相應的驅動保護電路， 采用第7代CSTBTTM硅片；內置短路保護、欠壓保護功能以及溫度模擬量輸出功能；另內置自舉二極管及自舉限流電阻； 提供額定電流覆蓋50A/600V和5~35A/1200V。采用該款模塊設計通用變頻器，可以最大程度地簡化PCB布線設計，縮小基板面積，是小功率變頻器低成本化的最佳解決方案。
G1系列IPM，針對高端變頻器、伺服電機驅動器的應用而設計。它采用了第7代 IGBT和FWDi芯片，實現更低損耗；使用更適合伺服驅動器的窄長形封裝；控制端子與現行L1 系列兼容，適用同樣的接口電路；針對不同的保護動作，輸出不同的故障識別信號；額定電流覆蓋25A~200A/1200V。
新能源發電市場
為滿足新能源發電特別是光伏發電的市場需求，三菱電機向客戶大力推介第7代IGBT模塊及大功率三電平逆變器用單管IGBT模塊。
針對大功率光伏逆變器及大功率不間斷電源，三菱電機推出大功率三電平逆變器用單管IGBT模塊。它采用第6代和第7代IGBT硅片，實現低損耗；可以根據不同需要組建I型或者T型3電平拓撲；具備低雜散電感(1單元模塊8nH，兩單元模塊12nH)；高絕緣耐壓達4000Vrms/1分鐘；最大結溫可達175℃；最大電流等級達到1400A/1200V和1000A/1700V。<
http:www.mangadaku.com/news/2016-8/201681015490.html
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