Microchip推出最新一代汽車用700和1200V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管

　　汽車電氣化浪潮正席卷全球，電動汽車搭載的電機、車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等高壓汽車系統(tǒng)都需要碳化硅（SiC）等創(chuàng)新電源技術(shù)。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出最新通過認證的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）功率器件，為電動汽車（EV）系統(tǒng)設(shè)計人員提供了符合嚴苛汽車質(zhì)量標準的解決方案，同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。

　　Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認證，對于需要在提高系統(tǒng)效率的同時保持高質(zhì)量的電動汽車電源設(shè)計人員來說，可以最大限度地提高系統(tǒng)的可靠性和耐用性，實現(xiàn)穩(wěn)定和持久的應(yīng)用壽命。新器件卓越的雪崩整流性能使設(shè)計人員可以減少對外部保護電路的需求，降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。

　　Microchip分立產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁Leon Gross表示：“作為汽車行業(yè)的長期供應(yīng)商，Microchip持續(xù)拓展車用電源解決方案，引領(lǐng)汽車電氣化領(lǐng)域的電源系統(tǒng)轉(zhuǎn)型。我們一直專注于提供汽車解決方案，幫助客戶輕松過渡到碳化硅（SiC），同時將質(zhì)量、供應(yīng)和支持挑戰(zhàn)的風(fēng)險降至最低。”

　　Microchip作為汽車行業(yè)供應(yīng)商的歷史已經(jīng)超過25年。公司擁有碳化硅（SiC）技術(shù)以及多個通過IATF 16949:2016認證的制造工廠，可通過靈活的制造方案提供高質(zhì)量器件，幫助最大限度地降低供應(yīng)鏈風(fēng)險。

　　經(jīng)過Microchip內(nèi)部以及第三方測試，關(guān)鍵可靠性指標已經(jīng)證明，與其他廠商生產(chǎn)的SiC器件相比，Microchip的器件性能更加卓越。與其他在極端條件下出現(xiàn)性能下降的碳化硅（SiC）器件不同，Microchip器件性能保持穩(wěn)定，有助于延長應(yīng)用壽命。Microchip碳化硅（SiC）解決方案的可靠性和耐用性在業(yè)界處于領(lǐng)先水平。其耐用性測試表明，Microchip的碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）在非箝位電感開關(guān)（UIS）中的能量承受能力提升20%，在高溫下電流泄漏水平最低，從而可以延長系統(tǒng)壽命，實現(xiàn)更可靠的運行。

　　Microchip的SiC汽車功率器件進一步拓展了其豐富的控制器、模擬和連接解決方案產(chǎn)品組合，為設(shè)計人員提供電動汽車和充電站的整體系統(tǒng)解決方案。Microchip還利用最新一代碳化硅（SiC）裸片，提供700、1200和1700V碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）功率模塊的廣泛產(chǎn)品組合。此外，Microchip推出的dsPIC®數(shù)字信號控制器可提供高性能、低功耗和靈活的外設(shè)。Microchip的AgileSwitch®系列數(shù)字可編程門驅(qū)動器進一步加快了從設(shè)計階段到生產(chǎn)的進程。這些解決方案還可應(yīng)用于可再生能源、電網(wǎng)、工業(yè)、交通、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、航空航天和國防系統(tǒng)。

　　開發(fā)工具

　　Microchip通過AEC-Q101認證的碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）器件支持SPICE和PLECS仿真模型以及MPLAB®Mindi™模擬仿真器。同時還提供Microchip SBD（1200V,50A）作為功率級的一部分的PLECS參考設(shè)計模型，即Vienna三相功率因數(shù)校正（PFC）參考設(shè)計。

　　供貨與定價

　　Microchip車用的700和1200V SiC SBD器件（也可作為功率模塊的裸片）已經(jīng)通過AEC-Q101認證，現(xiàn)已開始接受批量訂單。如需了解更多信息，請聯(lián)系Microchip銷售代表、全球授權(quán)經(jīng)銷商或訪問Microchip網(wǎng)站。