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Vishay推出PowerPAK 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET，優(yōu)異的RDS(ON) 導(dǎo)通電阻低至0.65 m
賓夕法尼亞、MALVERN—2022年2月7日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET®MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級(jí)可靠性。為實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)目標(biāo)，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導(dǎo)通電阻，工作溫度可達(dá)+175(C以及高連續(xù)漏極電流。節(jié)省空間的PowerPAK®8x8L封裝采用無(wú)引線(xiàn)鍵合鷗翼引線(xiàn)結(jié)構(gòu)消除機(jī)械應(yīng)力，有助于提高板級(jí)可靠性。
SiJH600E和SiJH800E超低導(dǎo)通電阻—10 V下典型值分別為0.65 m(和1.22 m(—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54%和52%，從而減小了傳導(dǎo)功耗，實(shí)現(xiàn)節(jié)能的效果。
為提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E連續(xù)漏極電流分別為373 A和288 A，封裝占位面積比D2PAK封裝減小60%，高度降低57%。為節(jié)省電路板空間，每款MOSFET還可以用來(lái)取代兩個(gè)并聯(lián)的PowerPAK SO-8器件。
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http:www.mangadaku.com/news/2022-2/2022215103124.html
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