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意法半導(dǎo)體新推極低電阻功率MOSFET STD11NM60N(圖)

　　意法半導(dǎo)體(ST)近日推出了新系列功率MOSFET的第一款產(chǎn)品STD11NM60N。 該產(chǎn)品通態(tài)電阻極低，動(dòng)態(tài)特性和雪崩特性優(yōu)越，為客戶大幅降低照明應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機(jī)會(huì)。STD11NM60N特別適合照明應(yīng)用產(chǎn)品，例如，大功率因數(shù)電子鎮(zhèn)流器和高強(qiáng)度放電燈(HID)電子鎮(zhèn)流器。

　　商用照明應(yīng)用市場對(duì)更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵(lì)半導(dǎo)體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產(chǎn)品STD11NM60N就是一個(gè)這樣的挑戰(zhàn)半導(dǎo)體器件技術(shù)極限的實(shí)例，該產(chǎn)品采用ST自主開發(fā)的第二代MDmesh技術(shù)，最大通態(tài)電阻RDS(ON)僅為450 mΩ，該器件的電阻值比上一代MDmesh技術(shù)降低了55%，而且這一特性并沒有犧牲對(duì)其溫度特性的精確控制為代價(jià)。

　　除通過最小化電阻值來大幅度降低通態(tài)損耗外，這個(gè)600V產(chǎn)品的主要特性還包括一個(gè)節(jié)能的驅(qū)動(dòng)電路，該電路使MOSFET能夠在較低的VGS(th)(柵閾壓)電壓下驅(qū)動(dòng)更高的電流。 事實(shí)上，雖然閾壓范圍(2V)沒有變化，但是驅(qū)動(dòng)該器件所需的VGS電壓范圍降低了，從而優(yōu)化了驅(qū)動(dòng)電路的性能，保證了器件具有優(yōu)良的防止電路意外導(dǎo)通的噪聲抑制性能。

　　STD11NM60N的主要特性包括一個(gè)優(yōu)異的二極管dv/dt性能和出色的雪崩特性，使用戶能夠把工作溫度保證在正常的工作溫度范圍內(nèi)。因?yàn)閭鲗?dǎo)損耗和功耗都很低，該器件還有助于客戶降低散熱器的尺寸，從而大大節(jié)省了電路板的空間。

　　STD11NM60N采用微型DPAK/IPAK和TO-220FP封裝，現(xiàn)已量產(chǎn)，訂購10,000件時(shí)單價(jià)為0.90美元。

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編輯：Sepnova
  來源：國際電子商情

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