MOSFET的規(guī)格書中，通常會給出MOSFET的特性參數(shù)，如輸出曲線、輸出電壓、通態(tài)電阻RDS(ON)、柵極閥值電壓VGS(TH)等。在選擇MOSFET時，需要根據(jù)電路的具體要求選擇適當?shù)膮��?shù)。同時注意，每個參數(shù)都有對應的測試條件。

雖然在MOSFET的規(guī)格書中會給出很多參數(shù)，但有五個參數(shù)是最重要的：首先要選擇合適的封裝；第二，要看擊穿電壓額定值（VDSS）；第三，選擇適當通態(tài)電阻RDS(on)；第四，要看柵極電荷量QGD，它會影響開關(guān)速度；第五，要看柵極閥值電壓VGS(TH)，它是剛剛開始形成導電溝道的柵、源極電壓。

擊穿電壓V(BR)DS是指PN結(jié)發(fā)生擊穿后，在輸出特性曲線中漏極電流ID從水平開始迅猛上升時的漏源極電壓值，是在關(guān)斷時漏源極能承受的最大電壓。在規(guī)格書中，會給出結(jié)測試條件，比如結(jié)溫是25℃到150℃，參考標準是IEC600134。

當MOSFET處于導通狀態(tài)時，漏源極之間可以看做一個電阻，阻值通常是歐姆或者毫姆。該通態(tài)電阻是影響最大輸出的重要參數(shù)，在開關(guān)電路中它決定了信號輸出幅度與自身損耗。通態(tài)電阻會受到漏極電流、柵源極電壓與溫度的影響。在設計時，可參考RDS曲線。

在MOSFET開關(guān)期間，由于殘存電荷的存在，MOSFET會消耗很大的能量。這個開關(guān)損耗，會使器件的溫度升高。開關(guān)能量損耗，主要取決于柵極電荷量QGD，QGD較小的話，開關(guān)損耗就小。

柵極閥值電壓VGS(TH)表示開始有規(guī)定的漏極電流時的最低柵極電壓。在工業(yè)應用中，常將漏極短接條件下ID>1mA時的柵極電壓定義為閥值電壓。閥值電壓會隨結(jié)溫而變化，所以通常在規(guī)格書中會標出其最小值和最大值。

ST1284-02A8RL
ST3243ECTR
ST72F621L4M1L
ST735CD-TR
STA013T
STB11NK50ZT4
STB4NB80T4
STBV32
STBV42
STBV45
STD100NH03LT4
STD1NK60
STD2N52
STD2NC60
STD7NB20T4
STK2NA60
STN3NE06
STP10NC50F
STP11NB40FP
STP16NB25
STP2NC60
STP3NC60FP
STP3NK90Z
STP4NK60Z
STP55NF06
STP6NB60
STP8NA50
STPR1620CT
STPS10L25D
STPS10L45CT
STPS10L60D
STPS120E
STPS15L60CB-TR
STPS160A
STPS20L15D
STPS3045CG-TR
STPS3045CT
STPS3045CW
STPS30L30
STPS30L30CG
STPS30L40CG
STPS30L45CG-TR
STPS4030CT
STPS40L45
STPS40L45CT
STPS41H100CG
STPS745FP
STQ1NC40
STQ1NC45
STQ1NC60R-AP
STQ1NC60R-AP
STS2DNF30L
STS3DPFS30
STTA806D
STTH2003CR
STTH5R06D
STW7NB80
STW8NB90

STB11NK50ZT4
制造商:  STMicroelectronics   
 
產(chǎn)品種類:  MOSFET Power   
 
RoHS:   詳細信息  
 
配置:  Single   
 
晶體管極性:  N-Channel   
 
封裝 / 箱體:  D2PAK   
 
電阻汲極/源極 RDS（導通）:  0.48 Ohms   
 
正向跨導 gFS（最大值/最小值） :  77 S   
 
汲極/源極擊穿電壓:  500 V   
 
閘/源擊穿電壓:  +/- 30 V   
 
漏極連續(xù)電流:  10 A   
 
功率耗散:  125 W   
 
最大工作溫度:  + 150 C   
 
封裝:  Reel   
 
最小工作溫度:  - 55 C