C61F120兼容PIC12F629
 C61F120 CPU：
 • 49條指令，除部分跳轉(zhuǎn)指令外為單周期RISC實(shí)現(xiàn)
 • 工作速度：
 - 振蕩器/ 時(shí)鐘的輸入頻率為DC~20 MHz
 - 指令周期最小為DC~200 ns
 • 支持中斷處理，6個(gè)中斷源，8級(jí)硬件堆棧
 特殊單片機(jī)特性：
 •  高精度內(nèi)部振蕩器：
 - 出廠時(shí)精度校準(zhǔn)為±1%
 -內(nèi)部固定頻率4M
 - 適用于關(guān)鍵應(yīng)用的晶振故障檢測(cè)
 • 低功耗的電源休眠模式
 • 工作電壓范圍（2.0V 到5V）
 •  工業(yè)級(jí)溫度范圍: -40°C 至 85°C
 • 上電復(fù)位功能（Power-on Reset， POR）
 • 欠壓檢測(cè)功能（Brown-out Detect，BOD）
 • 帶上拉的主復(fù)位，可復(fù)用為輸入引腳
 存儲(chǔ)器
 • 非易失性的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
 –1K 字節(jié)的系統(tǒng)內(nèi)可編程Flash  
 –128字節(jié)的EEPROM: 擦寫壽命: 1000,000 次
 –EEPROM 可經(jīng)受100 萬(wàn)次寫操作
 •  可編程代碼保護(hù)
 •  高耐用性閃存/EEPROM單元：
 - 閃存可經(jīng)受10萬(wàn)次寫操作
 - 閃存/ 數(shù)據(jù)EEPROM保存時(shí)間：>40 年
 • 96 字節(jié)的片內(nèi)SRAM
 外設(shè)特性：
 –2個(gè)通用功能定時(shí)器/計(jì)數(shù)器
 –一個(gè)片內(nèi)模擬比較器
 –內(nèi)部可編程的參考電壓（VDD成比例）
 –具有獨(dú)立片內(nèi)振蕩器的可編程看門狗定時(shí)器
 –引腳電平變化可引發(fā)中斷及喚醒MCU
 ISP 功能
 –在線編程下載功能
 I/O口與封裝
 •  6 個(gè)可編程的I/O 口線：
 –最大驅(qū)動(dòng)能力20mA，
 –獨(dú)立的可編程弱上拉，
 –I/O口具有鍵盤中斷功能
 •  8 引腳封裝:DIP8/SOIC8/TSSOP-8封裝
 功耗
 • 正常模式：
 - 4 MHz, 2V:典型值200μA
 • 掉電模式:  
 - 2V，0.5μA