陳子穎
英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部市場(chǎng)總監(jiān)
SiC畢竟是新材料，新技術(shù)，所以從材料、供應(yīng)鏈到應(yīng)用的成熟性需要一個(gè)過程，時(shí)機(jī)是很重要的。而且英飛凌在產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)方面是比較慎重的，對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量管控比較嚴(yán)格，為了向用戶提供品質(zhì)、可靠性更好的SiC產(chǎn)品，英飛凌花了30年時(shí)間不斷進(jìn)行技術(shù)打磨和沉淀。而且有重大突破的：
1、英飛凌是第一個(gè)采用溝槽柵做SiC MOSFET，這一技術(shù)很好解決了柵極氧化層的可靠性問題，也提高了SiC MOSFET的性能。
2、英飛凌還在積極投資一些創(chuàng)新的技術(shù)，從而能夠更好的成就我們的生產(chǎn)效率和良率的提升。2018年我們收購(gòu)了一家碳化硅的冷切割技術(shù)的高科技公司Siltectra。英飛凌也在不斷的對(duì)其技術(shù)的應(yīng)用進(jìn)行長(zhǎng)期的投入，近期我們也得到一些好的消息，首批的測(cè)試產(chǎn)品已經(jīng)完成了生產(chǎn)的資格，同時(shí)我們接下來也會(huì)用一個(gè)試生產(chǎn)線來加大量產(chǎn)的速度。
這種冷切割的芯片切割技術(shù)，實(shí)際上對(duì)于碳化硅來說，非常高的價(jià)值在于它可以大大的減少對(duì)規(guī)定的原材料的浪費(fèi)，所以我們可以用同樣數(shù)量的原材料切割成加倍的晶圓來供生產(chǎn)。
在今年的PCIM，英飛凌會(huì)展出增強(qiáng)型SiC MOSFET芯片技術(shù)；.XT技術(shù)的單管，最大規(guī)格低至７毫歐；低至２毫歐的Easy3B 半橋模塊；1.7kV和2kV芯片技術(shù)及其產(chǎn)品。
蘇勇錦
羅姆半導(dǎo)體（深圳）有限公司技術(shù)中心高級(jí)經(jīng)理
作為碳化硅元器件的領(lǐng)軍企業(yè)之一，羅姆一直致力于先進(jìn)產(chǎn)品的開發(fā)，早在2010年便于業(yè)界首次量產(chǎn)SiC MOSFET。在車載領(lǐng)域，羅姆于2012年推出了支持AEC-Q101認(rèn)證的車載品，并在車載充電器（OBC）領(lǐng)域擁有很高的市場(chǎng)份額。此外，羅姆碳化硅產(chǎn)品還應(yīng)用于車載DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。2020年6月，羅姆發(fā)布了業(yè)界先進(jìn)的第4代低導(dǎo)通阻抗碳化硅MOSFET。與以往產(chǎn)品相比，在不犧牲短路耐受時(shí)間的前提下，成功實(shí)現(xiàn)業(yè)界較高水平的低導(dǎo)通電阻。此產(chǎn)品非常適用于包括主機(jī)逆變器在內(nèi)的車載動(dòng)力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。
今后將繼續(xù)通過與汽車廠商和車載廠商的合作，在推進(jìn)更高效率更高品質(zhì)的產(chǎn)品開發(fā)的同時(shí)，提供豐富的解決方案。
夏超
安森美中國(guó)區(qū)汽車現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師
安森美作為SiC領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)之一，致力于為客戶提供高效可靠的功率器件。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，安森美從襯底生長(zhǎng)-晶圓刻蝕-芯片封裝-系統(tǒng)集成這四個(gè)方向來加以整合升級(jí)。
從第三代半導(dǎo)體方面的進(jìn)展來看，安森美在SiC襯底上可以實(shí)現(xiàn) 6英寸和8英寸的自主生產(chǎn)；晶圓的生產(chǎn)重心正逐步從6英寸向8英寸產(chǎn)線轉(zhuǎn)移，可在一定程度上緩解市場(chǎng)上芯片荒的局面；在器件的封裝方面，安森美具有完整高效的生產(chǎn)體系，可以實(shí)現(xiàn)不同層次客戶應(yīng)用的需求；在系統(tǒng)集成方面，安森美擁有優(yōu)秀的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程(FAE)團(tuán)隊(duì)，可以根據(jù)客戶具體的需求，為客戶提供最佳的解決方案。
安森美未來的主攻方向?qū)?huì)是智能電源與智能感知兩大方向：在智能電源方面，可持續(xù)發(fā)展成為電源高能效的需求驅(qū)動(dòng)力，同時(shí)汽車、工業(yè)等也在加速電氣化和自動(dòng)化；在感知層面，汽車業(yè)通過智能感知的技術(shù)可加快L2級(jí)以上自動(dòng)駕駛的步伐，而工業(yè)自動(dòng)化可獲得更高的產(chǎn)出效率。安森美一方面將順應(yīng)中國(guó)發(fā)展大趨勢(shì)，推動(dòng)智能電源和智能感知技術(shù)的發(fā)展，持續(xù)關(guān)注汽車功能電子化、自動(dòng)駕駛、機(jī)器視覺、工廠自動(dòng)化、5G、云電源領(lǐng)域。另一方面將持續(xù)發(fā)揮價(jià)值，與中國(guó)的戰(zhàn)略客戶建立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，提供更加智能和高度差異化的產(chǎn)品。公司將對(duì)中國(guó)的制造基地進(jìn)行優(yōu)化升級(jí)，以順應(yīng)新能源汽車、工業(yè)等行業(yè)的大趨勢(shì)。最重要的是，安森美將與中國(guó)的戰(zhàn)略客戶簽訂長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，保障客戶的供應(yīng)鏈安全。與此同時(shí)，安森美也會(huì)積極支持中國(guó)的2030碳達(dá)峰、2060碳中和等目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。
練俊
丹佛斯硅動(dòng)力有限公司大客戶經(jīng)理
丹佛斯目前主打的汽車級(jí)SiC功率模塊平臺(tái)DCM™1000X市場(chǎng)反響強(qiáng)烈，為適應(yīng)市場(chǎng)需求，丹佛斯正加緊布局國(guó)際市場(chǎng)，歐洲、美國(guó)及中國(guó)的產(chǎn)線正在高速建設(shè)中。其中采用Cree三代芯片的1200V模塊在保證可靠性的前提下已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了領(lǐng)先的功率密度和輸出能力。丹佛斯專注于封裝技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，且在芯片選擇上是獨(dú)立靈活的，市場(chǎng)上最新出現(xiàn)的Cree的Gen3+以及其他廠家的最新產(chǎn)品已經(jīng)在評(píng)估中。未來我們會(huì)開發(fā)出更多款滿足客戶不同性能，成本和供應(yīng)安全要求的產(chǎn)品，以適應(yīng)客戶最前沿的SiC需求。
Power Integrations市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁 Doug Bailey
除了如前所述將SiC開關(guān)與驅(qū)動(dòng)器封裝在IC中之外，Power Integrations還是為工業(yè)、牽引和可再生能源應(yīng)用提供SiC模塊驅(qū)動(dòng)器的領(lǐng)導(dǎo)者。我們的SCALE™-2 ASIC技術(shù)可實(shí)現(xiàn)有源鉗位短路保護(hù)、高效并聯(lián)并減少BOM數(shù)量。這有助于提高可靠性并降低系統(tǒng)成本。
何黎
萬國(guó)半導(dǎo)體元件(深圳)有限公司Marketing Manager
AOS自2015年布局第三代半導(dǎo)體以來，持續(xù)不斷的增加對(duì)第三代半導(dǎo)體的投資，目前主要以SiC為主。我司的第二代的1200V/750V/650V SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)全線推出市場(chǎng)，模塊類的產(chǎn)品也即將量產(chǎn)，未來除了繼續(xù)平臺(tái)迭代以外，將會(huì)不斷完善和豐富模塊類的產(chǎn)品線。
陳鑫磊
泰克科技行業(yè)開發(fā)經(jīng)理
泰克科技計(jì)劃為第三代功率半導(dǎo)體行業(yè)提供從晶圓側(cè)，封裝測(cè)，系統(tǒng)應(yīng)用側(cè)全面解決方案。目前泰克推出了全新的TIVP系列光隔離探頭，轉(zhuǎn)為第三代功率半導(dǎo)體SiC和GaN研發(fā)，配合泰克12bit 高精度多通道示波器，組成SiC特性測(cè)試的強(qiáng)強(qiáng)組合，高達(dá)120dB共模抑制比，高達(dá)1GHz 帶寬，具有超高抗干擾性能，為SiC特性測(cè)試提供了準(zhǔn)確可靠的測(cè)試技術(shù)。當(dāng)然結(jié)合泰克旗下品牌Keithley的4200A和2600-PCT晶圓級(jí)參數(shù)測(cè)試方案和我們積極投入研發(fā)推出本土化SiC可靠性測(cè)試方案，和SiC 器件及模塊的動(dòng)靜態(tài)性能測(cè)試方案，實(shí)現(xiàn)了全產(chǎn)業(yè)鏈的測(cè)試方案，來支持SiC器件廠家提升器件性能和良品率，支持電源工程師更好的應(yīng)用和發(fā)揮SiC器件的特性，從而助力綠色能源的發(fā)展。
