ST高壓晶體管技術協助開發更可靠的高能效電源

功率 MOSFET晶體管提高擊穿電壓和抗雪崩能力，
導通電阻比上一代產品降低30%

    近日，功率半導體技術的世界領導者意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出全新系列功率MOSFET晶體管，新產品的擊穿電壓更高，抗涌流能力更強，電能損耗更低，特別適用于設計液晶顯示器、電視機和節能燈鎮流器等產品的高能效電源。

    STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個950V的擊穿電壓級別產品，此一新級別的產品特別適用于通過把工作電壓提高到400V或更高來降低能耗的系統。與競爭品牌的900V產品相比，意法半導體全新950V功率MOSFET的安全工作面積更大，可靠性更高。高壓電源設計人員還可以使用一個 單一950V MOSFET取代雙晶體管電路，從而簡化電路設計，縮減尺寸，減少元器件數量。

    此外，STx7N95K3系列的額定雪崩電流高于競爭產品，這個優勢可確保產品能夠承受高于擊穿電壓的電涌，因為過高的浪涌電流會燒毀器件。新產品的額定雪崩電流為9A，而實力最接近的競爭品牌的900V產品的額定雪崩電流大約只有1A。

    除更強的耐高壓能力外，STx7N95K3系列還實現了導通損耗最小化，導通電阻RDS(ON)被降至1.35歐姆以下。新產品的單位芯片面積導通電阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%，設計人員可以提高功率密度及能效。

    同時，因為達成低柵電荷量(QG)和低本征電容，這些新的MOSFET還能提供優異的開關性能，這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率、尺寸更小的元器件，以進一步提高能效和功率密度。

    STx7N95K3 MOSFET實現這些性能優勢歸功于意法半導體的最新一代SuperMESH3™技術。新產品采用工業標準封裝：STF7N95K3采用 TO-220FP封裝；STP7N95K3采用標準的TO-220封裝；STW7N95K3采用TO-247封裝。

    隨后將推出的新產品是：950V 的BVDSS STW25N95K3、STP13N95K3、STD5N95K3和 1200V 的BVDSS STP6N120K3。在推出這些產品后，意法半導體還將在2009年推出后續產品，包括850V、950V、1050V和1200V系列產品。

    STx7N95K3系列已投產。

    詳情請訪問：www.stmicroelectronics.com.cn/pmos.

    關于意法半導體（ST）

    意法半導體是微電子應用領域中開發供應半導體解決方案的世界級主導廠商。硅片與系統技術的完美結合，雄厚的制造實力，廣泛的知識產權組合（IP），以及強大的戰略合作伙伴關系，使意法半導體在系統級芯片（SoC）技術方面居最前沿地位。在今天實現技術一體化的發展趨勢中，意法半導體的產品扮演重要的角色。2008年，公司凈收入98.4億美元，公司股票分別在紐約股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。詳情請訪問意法半導體公司網站 www.st.com 或意法半導體中文網站 www.stmicroelectronics.com.cn。■