ST高壓晶體管技術(shù)協(xié)助開發(fā)更可靠的高能效電源

功率 MOSFET晶體管提高擊穿電壓和抗雪崩能力，
導(dǎo)通電阻比上一代產(chǎn)品降低30%

    近日，功率半導(dǎo)體技術(shù)的世界領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出全新系列功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品的擊穿電壓更高，抗涌流能力更強(qiáng)，電能損耗更低，特別適用于設(shè)計(jì)液晶顯示器、電視機(jī)和節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品的高能效電源。

    STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個(gè)950V的擊穿電壓級別產(chǎn)品，此一新級別的產(chǎn)品特別適用于通過把工作電壓提高到400V或更高來降低能耗的系統(tǒng)。與競爭品牌的900V產(chǎn)品相比，意法半導(dǎo)體全新950V功率MOSFET的安全工作面積更大，可靠性更高。高壓電源設(shè)計(jì)人員還可以使用一個(gè) 單一950V MOSFET取代雙晶體管電路，從而簡化電路設(shè)計(jì)，縮減尺寸，減少元器件數(shù)量。

    此外，STx7N95K3系列的額定雪崩電流高于競爭產(chǎn)品，這個(gè)優(yōu)勢可確保產(chǎn)品能夠承受高于擊穿電壓的電涌，因?yàn)檫^高的浪涌電流會燒毀器件。新產(chǎn)品的額定雪崩電流為9A，而實(shí)力最接近的競爭品牌的900V產(chǎn)品的額定雪崩電流大約只有1A。

    除更強(qiáng)的耐高壓能力外，STx7N95K3系列還實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)通損耗最小化，導(dǎo)通電阻RDS(ON)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導(dǎo)通電阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%，設(shè)計(jì)人員可以提高功率密度及能效。

    同時(shí)，因?yàn)檫_(dá)成低柵電荷量(QG)和低本征電容，這些新的MOSFET還能提供優(yōu)異的開關(guān)性能，這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員可以使用更高的開關(guān)頻率、尺寸更小的元器件，以進(jìn)一步提高能效和功率密度。

    STx7N95K3 MOSFET實(shí)現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導(dǎo)體的最新一代SuperMESH3™技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝：STF7N95K3采用 TO-220FP封裝；STP7N95K3采用標(biāo)準(zhǔn)的TO-220封裝；STW7N95K3采用TO-247封裝。

    隨后將推出的新產(chǎn)品是：950V 的BVDSS STW25N95K3、STP13N95K3、STD5N95K3和 1200V 的BVDSS STP6N120K3。在推出這些產(chǎn)品后，意法半導(dǎo)體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品，包括850V、950V、1050V和1200V系列產(chǎn)品。

    STx7N95K3系列已投產(chǎn)。

    詳情請?jiān)L問：www.stmicroelectronics.com.cn/pmos.

    關(guān)于意法半導(dǎo)體（ST）

    意法半導(dǎo)體是微電子應(yīng)用領(lǐng)域中開發(fā)供應(yīng)半導(dǎo)體解決方案的世界級主導(dǎo)廠商。硅片與系統(tǒng)技術(shù)的完美結(jié)合，雄厚的制造實(shí)力，廣泛的知識產(chǎn)權(quán)組合（IP），以及強(qiáng)大的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使意法半導(dǎo)體在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術(shù)方面居最前沿地位。在今天實(shí)現(xiàn)技術(shù)一體化的發(fā)展趨勢中，意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品扮演重要的角色。2008年，公司凈收入98.4億美元，公司股票分別在紐約股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。詳情請?jiān)L問意法半導(dǎo)體公司網(wǎng)站 www.st.com 或意法半導(dǎo)體中文網(wǎng)站 www.stmicroelectronics.com.cn。■